一种Al组分渐变式P型LED结构及制备方法

摘要

本发明涉及一种Al组分渐变式P型LED结构及制备方法，由下至上依次包括衬底、成核层、缓冲层、N型GaN层、多量子阱发光层、P型Al_YIn_XGa_1-X-YN层。P型Al_YIn_XGa_1-X-YN层中Al的掺杂量有规律的变化后，能提高P型GaN结构空穴浓度，从而提升外量子效率，所得P型LED结构晶格失配小，从本质上降低接触电阻并改善P型GaN薄膜质量；改变了P型Al_YIn_XGa_1-X-YN层的能带分布，减弱了P型Al_YIn_XGa_1-X-YN层的价带对空穴注入时的阻挡作用，同时不削弱其对电子的阻挡作用；该结构在一定程度上还可以改善表面粗化，过采用该结构，LED芯片亮度提升了20％，电压降低0.02-0.1V。

主权项

一种Al组分渐变式P型LED结构，由下至上依次包括衬底、成核层、缓冲层、N型GaN层、多量子阱发光层、P型Al_YIn_XGa_1‑X‑YN层；其中，所述衬底是蓝宝石、碳化硅；所述成核层是氮化镓层、氮化铝层或铝镓氮层之一；所述缓冲层是非掺杂氮化镓；所述多量子阱发光层是由InGaN势阱层和GaN势垒层周期性交替叠加构成；所述P型Al_YIn_XGa_1‑X‑YN结构中，所述0≤X≤1，0≤Y＜1。