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发明名称 FORMATION OF SILICON CARBIDE THIN LAYER
摘要
申请公布号 JPH10297996(A) 申请公布日期 1998.11.10
申请号 JP19970123486 申请日期 1997.04.26
申请人 ION KOGAKU KENKYUSHO:KK 发明人 HARA TORU;INOUE MORIO
分类号 C30B29/36;C30B31/22;H01L21/02;H01L21/20;H01L27/12;(IPC1-7):C30B29/36 主分类号 C30B29/36
代理机构 代理人
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