| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种生产半导体器件的方法,包括步骤:通过离子注入,形成用于控制阈值电压的杂质扩散层;以及进行使由于离子注入而产生的晶体缺陷恢复的高温快速热处理。更具体地,高温快速热处理的处理条件以这种方式设定,即使引起晶体缺陷的填隙原子扩散,而杂质扩散层中的杂质不扩散。例如高温快速热处理是在温度范围为约900℃到约1100℃下进行的。 | ||
| 申请公布号 | CN1198250A | 申请公布日期 | 1998.11.04 |
| 申请号 | CN97190998.9 | 申请日期 | 1997.06.24 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 赤松克立;小田中绅二;海本博之 |
| 分类号 | H01L21/265;H01L27/092 | 主分类号 | H01L21/265 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 蹇炜 |
| 主权项 | 1.一种生产半导体器件的方法，包括下列步骤：通过离子注入，形成用于控制阈值电压的杂质扩散层；以及进行使由于离子注入而产生的晶体缺陷恢复的高温快速热处理。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||