| 发明名称 | 用于集成电路的含有用专用腔室淀积的两薄层钛的金属堆栈 | ||
| 摘要 | 一种用于集成电路的金属堆栈(35)表明有改善的电迁移特性。大约185A的钛基底层(31)形成在ILD上,接着形成体导电层(32),比如铝铜合金层。大约185A的钛盖层(33)形成在体导电层(32)上。最后,一层氮化钛的抗反射涂层(ARC)(34)形成在盖层(33)上。 | ||
| 申请公布号 | CN1198252A | 申请公布日期 | 1998.11.04 |
| 申请号 | CN96197259.9 | 申请日期 | 1996.09.25 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | R·拉斯托吉;白鹏;S·阿梅德;W·K·梅耶尔 |
| 分类号 | H01L23/495;H01L23/48;H01L23/52;H01L29/40 | 主分类号 | H01L23/495 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邹光新;王岳 |
| 主权项 | 1.一种在集成电路中用作互连结构的金属堆栈，包括：一层钛基底层；一层和基底层接触的体导电层；和一层和体导电层接触的钛盖层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||