发明名称 空桥顶
摘要 一种形成于一玻璃盖基体内之空桥结构102连接至在一装置基体82内积体电路而提供一耦合至该积体电路之空桥结构。
申请公布号 TW343352 申请公布日期 1998.10.21
申请号 TW086105673 申请日期 1997.04.29
申请人 贺利实公司 发明人 史帝夫J盖尔;裘斯A.戴格多
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种具有一空桥封套之积体电路,包括:一含有一积体电路之基座;一玻璃晶片,含有一穴至少包围住该积体电路之一部分;一金属导体,置于穴内且在该积体电路该被包围部分之上方;一些金属接片,将穴内之金属导体耦合至积体电路,其中之金属导体最好为一电感器。2.根据申请专利范围第1项之积体电路,其中穴含有一螺旋沟槽。3.一种具有一空桥结构之积体电路,包括:一装置基座,于其上之一表面形成有一积体电路;一绝缘顶盖基座,具有搭接至一装置基座之一表面,该搭接之顶盖表面具有一个或多个穴;以及一个或多个金属引线,位于至少一个穴之表面上。4.根据申请专利范围第3项之积体电路,其中顶盖晶片含有二氧化矽且装置晶片含有矽。5.根据申请专利范围第4项之积体电路,包括顶盖晶片表面上之至少一个或多个金属碰触接片,该等金属碰触接片被耦合至该至少一条之金属引线。6.根据申请专利范围第5项之积体电路,包括形成放穴内之一条连续金属引线以提供一电感器。7.根据申请专利范围第6项之积体电路,包括形成于至少一穴内之一金属层以提供一电容器之一个极板。8.一种具有一空桥结构之积体电路,包括:一装置基座,于其上之一表面形成一积体电路;一绝缘顶盖基座,具有搭接至一装置基座之一表面,该搭接之顶盖表面具有至少一沟槽且具有一金属填入该沟槽。9.根据申请专利范围第8项之积体电路,其中沟槽具有一连续式螺旋图案且形成一电感器。10.根据申请专利范围第9项之一积体电路,包括至少有两条沟槽,二者之间隔开一既定之距离,以金属填起该等沟槽而形成一电容器,且最好两沟槽为同心螺旋线。图式简单说明:第一图为一积体电路装置之截面图,该装置有一导电构件形成置于装置内一空间上方之电感器并提供一密封、搭接、多层之装置而保护该空间之封罩不被损坏或污染;第二图至第六图为显示第一图装置连续制造阶段之截面图;第六图为类似第一图中另一密封、搭接、多层装置之截面图,该装置有一导电元件在装置内一空间上提供一空桥,该图系沿着第七图中之线6-6取下;第七图为第六图所示装置之计划图;第八图-第十二图为第十三图与第十四图中所示装置连续制造阶段之截面图;第十三图为类似第一图与第六图中装置之截面图,显示一导电构件在该装置内形成一电感器,该装置为密封之多层结构以便将污染减至最小,该图系沿着第十四图中之线13-13取下;第十四图为第十三图所示装置之计划图,该图为剖面图以显示形成一线圈之导电构件之组态;第十五图-第十七图为形成一具有分别提供一电容器与一电感器之导电构件之装置各步骤之截面图;第十八图与第十九图为分解图,显示可用于为第十七图所示装置提供电容器段之不同导体组态。
地址 美国