| 主权项 |
1.一种焠冷区混合装置,其包含:a.一漩涡室,该漩涡室包括一配置在一顶板与一底板之间的壁体,其中该底板包括一开孔,用以提供流体连通至漩涡室外之装置,该壁体界定出该漩涡室之内部空间,该漩涡室进一步包括复数个开口,用以提供流体通入该漩涡室之装置;b.一粗略分布之网状结构,其系配置在该漩涡室之下方,其包括一泼溅板与向外延伸之引道,其中该泼溅板系用以收集由开孔流出之流体,并透过引道而将其径向地分布;及c.一分布装置,其系位于粗略分布网状结构之下方,其包括一具有复数穿孔与复数气泡帽盖之板体,且至少某些气泡帽盖系与至少某些穿孔相连结。2.根据申请专利范围第1项之焠冷区混合装置,其进一步包含复数个位于漩涡室内并且与该开口相连通之折流板,其系用以收纳及导引该流体绕着该漩涡室而环周缘地进入。3.根据申请专利范围第2项之焠冷区混合装置,其中每一折流板进一步包括:a.一底部呈切线方向之斜坡道,其邻接一开口之底部,并且附接至该漩涡室壁体之内部;b.一撞击壁,其系由该呈切线方向之斜坡道的较远端向上延伸而出;及c.一端壁,其系由呈切线方向之斜坡道向上延伸而出,并且与撞击壁与漩涡室壁体呈垂直。4.根据申请专利范围第3项之焠冷区混合装置,其中该折流板包括一环周缘之开口且垂直于进入开口,使得该进入之流体系呈切线方向地导向该漩涡室壁体。5.根据申请专利范围第3项之焠冷区混合装置,其中该撞击壁系由该呈切线方向之斜坡道的较远端延伸至该顶板。6.根据申请专利范围第4项之焠冷区混合装置,其中每一折流板的环周缘之开口皆系呈相同之方向。7.根据申请专利范围第1项之焠冷区混合装置,其进一步包含一环绕该开孔周围而形成之堰部,而形成一位于漩涡室底板上之盆部。8.根据申请专利范围第1项之焠冷区混合装置,其进一步包含复数个集滴盘,且至少某些集滴盘系位于该板体之下方,并且与至少某些气泡帽盖相连结,其中该集滴盘收纳由该气泡帽盖流出之流体,并且透过位于该集滴盘上之至少一排放口而将其分布。9.根据申请专利范围第8项之焠冷区混合装置,其中该集滴盘包括至少二排放口。10.根据申请专利范围第1项之焠冷区混合装置,其进一步包含一平头截锥液体收集盘包围该漩涡室,其中该液体收集盘收集由一位于该漩涡室上方之触媒床所流出之流体,并将其导向该开口。11.根据申请专利范围第10项之焠冷区混合装置,其中该液体收集盘具有一端部系邻近该漩涡室壁体,并且位于该开口底部附近,且另一端具有一高于他端之高度,以形成一向下之斜锥表面。12.根据申请专利范围第11项之焠冷区混合装置,其中该漩涡室系呈圆柱状且包括该开口。13.根据申请专利范围第1项之焠冷区混合装置,其中该开口系包括于该壁体中。14.根据申请专利范围第1项之焠冷区混合装置,其进一步包含一焠冷流体系统,该系统包括:a.一焠冷流体馈进管;b.一包围该漩涡室之同心状焠冷流体歧管;及c.复数个径向朝内延伸并穿过该漩涡室壁体之焠冷流体侧部,该侧部末端具有一喷嘴,每一喷嘴末端具有一排放开口,其系用以将焠冷流体导进该由折流板所流下来之流体流内。15.根据申请专利范围第14项之焠冷区混合装置,其中一单独喷嘴系与一单独之折流板相连结,使得由喷嘴排放出之焠冷流体可以导进由该相连结之折流板所流下来之流体流内。16.根据申请专利范围第1项之焠冷区混合装置,其中该泼溅板进一步包括复数个穿孔。17.根据申请专利范围第1项之焠冷区混合装置,其中该引道包括侧壁及其上之复数个相隔开的切口。18.根据申请专利范围第1项之焠冷区混合装置,其中一单独之气泡帽盖系与该板体上之一单独穿孔相连结,以提供该流体连通穿过该板体之唯一装置,且其中一单独之集滴盘系水平地固接而与一单独之气泡帽盖相连结。19.根据申请专利范围第18项之焠冷区混合装置,其中该气泡帽盖包含:a.一升管,其具有一位于在板体上一穿孔内之下端部与一顶端部,而在该两端之间形成一通道;b.一帽盖,其位于该升管顶部之上方,该帽盖具有一顶部及一向下延伸之外缘板盖部;及c.一间隔物,其系位于升管与该帽盖之间,以维持介于该升管顶端与该帽盖之间的一间隙。20.根据申请专利范围第19项之焠冷区混合装置,其中该帽盖具有复数个相隔开之切缝。21.根据申请专利范围第1项之焠冷区混合装置,其中该装置系位于一反应容器内,且进一步包含一支撑结构,该支撑结构包括:a.一同心状轮轴;及b.一第一组径向梁,其系由该同心状轮轴径向地朝外延伸至一附接至该反应容器之单一支撑环上,其中该径向梁系支撑该漩涡室。22.根据申请专利范围第21项之焠冷区混合装置,其中该梁体具有一凸缘以支撑该分布装置。23.根据申请专利范围第21项之焠冷区混合装置,其中在该梁体上提供有引道。24.根据申请专利范围第21项之焠冷区混合装置,其中进一步包括一第二组径向梁,系设置在该第一组径向梁之顶端。25.根据申请专利范围第1项之焠冷区混合装置,其中该装置系位于一反应容器内,且进一步包含一支撑结构,该支撑结构包括:a.一同心状轮轴;及b.一单一组之径向梁,其系由该同心状轮轴径向地朝外延伸至一附接至该反应容器之单一支撑环上,其中该径向梁系支撑该漩涡室。26.根据申请专利范围第1项之焠冷区混合装置,其中该粗略分布之网状结构系由一径向梁支撑,该径向梁亦支撑该漩涡室。27.根据申请专利范围第1项之焠冷区混合装置,其中该开口包括底部装置用于使流体连通进入该漩涡室。28.根据申请专利范围第1项之焠冷区混合装置,其中该开孔包括底部装置用于使流体流出该漩涡室。29.根据申请专利范围第1项之焠冷区混合装置,其中该引道包括纵向导引,其具有底部及至少二连接至底部之壁体,该壁体包括一连串之开孔。30.根据申请专利范围第1项之焠冷区混合装置,其中该引道具有矩形断面。31.根据申请专利范围第1项之焠冷区混合装置,其中该引道系大致呈U字型且具有一平坦之水平底部或一圆弧状之底部。32.根据申请专利范围第1项之焠冷区混合装置,其中该引道系呈V字型。33.根据申请专利范围第1项之焠冷区混合装置,其中该引道系由径向支撑梁所支撑。34.根据申请专利范围第1项之焠冷区混合装置,其中该引道系由径向支撑梁之侧面所支撑。35.一种反应器,包含一介置在二触媒床之间的焠冷区混合装置、一上游及一下游触媒床,其中该焠冷区混合装置包含:a.一漩涡室,该漩涡室包括一配置在一顶板与一底板之间的壁体,其中该底板包括一开孔,用以提供流体连通至漩涡室外之装置,该壁体界定出该漩涡室之内部空间,该漩涡室进一步包括复数个开口,用以提供流体通入该漩涡室之装置;b.一粗略分布之网状结构,其系配置在该漩涡室之下方,该网状结构包括一泼溅板与向外延伸之引道,其中该泼溅板系用以收集由开孔流出之流体,并透过引道而将其径向地分布;及c.一分布装置,其系位于粗略分布网状结构之下方,该分布装置包括一具有复数穿孔与复数气泡帽盖之板体,至少某些气泡帽盖系与至少某些穿孔相连结。36.根据申请专利范围第35项之反应器,其中该开口系包括在该壁体中。37.根据申请专利范围第35项之反应器,其中该焠冷区混合装置进一步包含复数个位于漩涡室内并且与该开口相连通之折流板,其系用以收纳及导引该流体绕着该漩涡室而环周缘地进入。38.根据申请专利范围第37项之反应器,其中每一折流板进一步包括:a.一底部呈切线方向之斜坡道,其邻接一开口之底部,并且附接至该漩涡室壁体之内部;b.一撞击壁,其系由该呈切线方向之斜坡道的较远端向上延伸而出;及c.一端壁,其系由呈切线方向之斜坡道向上延伸而出,并且与撞击壁与漩涡室壁体呈垂直。39.根据申请专利范围第38项之反应器,其中该折流板包括一环周缘之开口垂直于进入开口,使得该进入之流体系呈切线方向地导向该漩涡室壁体。40.根据申请专利范围第38项之反应器,其中该撞击壁系由该呈切线方向之斜坡道的较远端延伸至该顶板。41.根据申请专利范围第39项之反应器,其中每一折流板的环周缘之开口皆系呈相同之方向。42.根据申请专利范围第35项之反应器,其中该焠冷区混合装置进一步包含一环绕该开孔周围而形成之堰部,而形成一位于漩涡室底板上之盆部。43.根据申请专利范围第35项之反应器,其中该焠冷区混合装置包含一平头截锥液体收集盘包围该漩涡室,其中该液体收集盘收集由一位于该漩涡室上方之触媒床所流出之流体,并将其导向该开口。44.根据申请专利范围第43项之反应器,其中该液体收集盘具有一端部系邻近该漩涡室壁体,并且位于该开口底部附近,且另一端具有一高于他端之高度,以形成一向下之斜锥表面。45.根据申请专利范围第44项之反应器,其中该漩涡室壁体系呈圆柱形且包括该开口。46.根据申请专利范围第35项之反应器,其中该焠冷区混合装置进一步包含一焠冷流体系统,该系统包括:a.一焠冷流体馈进管;b.一包围该漩涡室之同心状焠冷流体歧管;及c.复数个径向朝内延伸并穿过该漩涡室壁体之焠冷流体侧部,该侧部末端具有一喷嘴,每一喷嘴末端具有一排放开口,其系用以将焠冷流体导进该由折流板所流下来之流体流内。47.根据申请专利范围第46项之反应器,其中一单独喷嘴系与一单独之折流板相连结,使得由喷嘴排放出之焠冷流体可以导进由该相连结之折流板所流下来之流体流内。48.根据申请专利范围第35项之反应器,其中该泼溅板进一步包括复数个穿孔。49.根据申请专利范围第35项之反应器,其中该引道包括侧壁及其上之复数个相隔开的切口。50.根据申请专利范围第35项之反应器,其中该板体系大致呈水平地装设在该容器内位于漩涡室之下方,该板体延伸通过该容器之断面部分,以将该容器之一上端部分与一下端部分隔开。51.根据申请专利范围第35项之反应器,其进一步包含复数个大致呈水平的集滴盘,且至少某些集滴盘系位于该板体之下方,并且与至少某些气泡帽盖相连结,其中该集滴盘收纳由该气泡帽盖流出之流体,并且透过位于该集滴盘上之至少一排放口而将其分布。52.根据申请专利范围第51项之反应器,其中该集滴盘包括至少二排放口。53.根据申请专利范围第35项之反应器,其中一单独之气泡帽盖系与该板体上一单独之穿孔相连结,以提供该流体连通穿过该板体之唯一装置,且其中一单独之集滴盘系水平地固接而与一单独之气泡帽盖相连结。54.根据申请专利范围第53项之反应器,其中该气泡帽盖包含:a.一升管,其具有一位于在板体上一穿孔内之下端部与一顶端部,而在该两端之间形成一通道;b.一帽盖,其位于该升管顶部之上方,该帽盖具有一顶部及一向下延伸之外缘板盖部;及c.一间隔物,其系位于升管与该帽盖之间,以维持介于该升管顶端与该帽盖之间的一间隙。55.根据申请专利范围第54项之反应器,其中该帽盖具有复数个相隔开之切缝。56.根据申请专利范围第35项之反应器,其进一步包含一支撑结构,该支撑结构包括:a.一同心状轮轴;及b.一第一组径向梁,其系由该同心状轮轴径向地朝外延伸至一附接至该反应容器之单一支撑环上,其中该径向梁系支撑该漩涡室。57.根据申请专利范围第35项之反应器,其中该粗略分布之网状结构系由一径向梁支撑,该径向梁亦支撑该漩涡室。58.根据申请专利范围第35项之反应器,其中该开口包括底部装置用于使流体连通进入该漩涡室。59.根据申请专利范围第35项之反应器,其中该开孔包括底部装置用于使流体流出该漩涡室。60.根据申请专利范围第35项之反应器,其中该引道包括纵向导引,其具有底部及至少二连接至底部之壁体,该壁体包括一连串之开孔。61.根据申请专利范围第35项之反应器,其中该引道具有矩形断面。62.根据申请专利范围第35项之反应器,其中该引道系大致呈U字型且具有一平坦之水平底部或一圆弧状之底部。63.根据申请专利范围第35项之反应器,其中该引道系呈V字型。64.根据申请专利范围第35项之反应器,其中该引道系由径向支撑梁所支撑。65.根据申请专利范围第35项之反应器,其中该引道系由径向支撑梁之侧面所支撑。66.一种反应器,在其内包含一焠冷区混合装置,其中该焠冷区混合装置包括一设置在一分布装置上方之焠冷区混合室,其改良处包含将一粗略分布之网状结构介置在焠冷区混合室与该分布装置之间,该粗略分布网状结构包括一泼溅板,系与向外延伸之引道以流体方式相连通。67.根据申请专利范围第66项之反应器,其中该引道进一步包括侧壁及其上复数个相隔开之切口。68.根据申请专利范围第66项之反应器,其中该泼溅板进一步包括复数个穿孔。69.一种焠冷区混合装置,在其内包括一设置在一分布装置上方之焠冷区混合室,其改良处包含将一粗略分布网状结构插置在焠冷区混合室与该分布装置之间,该粗略分布网状结构包括一泼溅板,系与向外延伸之引道以流体方式相连通。70.根据申请专利范围第69项之焠冷区混合装置,其中该引道进一步包括侧壁及其上复数个相隔开之切口。71.根据申请专利范围第69项之焠冷区混合装置,其中该泼溅板进一步包括复数个穿孔。72.一种分布装置,其包含:a.一板体及其上复数个穿孔;b.复数个气泡帽盖,且每一该气泡帽盖系与一穿孔相连结,所有之穿孔提供一流体连通过该板体之底部装置,每一气泡帽盖包括:i.一升管,其具有一位于在板体上一穿孔内之下端部与一顶端部,而在该两端之间形成一通道;ii.一帽盖,其位于该升管顶部之上方,该帽盖具有一顶部及一向下延伸之外缘板盖部,该帽盖另具有复数个相隔开之切缝;及iii.一间隔物,其系位于升管与该帽盖之间,以维持介于该升管顶端与该帽盖之间的一切间隙;c.一集滴盘,水平地与每一气泡帽盖相连结且位于每一气泡帽盖之下方,该集滴盘包括至少二排放口。73.一种反应器,其具有至少一触媒床与一位于该触媒床上方之分布装置,其中该分布装置包含:a.一板体及其上复数个穿孔;b.复数个气泡帽盖,且每一该气泡帽盖系与一穿孔相连结,所有之穿孔提供一流体连通过该板体之底部装置,每一气泡帽盖包括:i.一升管,其具有一位于在板体上一穿孔内之下端部与一顶端部,而在该两端之间形成一通道;ii.一帽盖,其位于该升管顶部之上方,该帽盖具有一顶部及一向下延伸之外缘板盖部,该帽盖另具有复数个相隔开之切缝;及iii.一间隔物,其系位于升管与该帽盖之间,以维持介于该升管顶端与该帽盖之间的一切间隙;c.一集滴盘,水平地与每一气泡帽盖相连结且位于每一气泡帽盖之下方,该集滴盘包括至少二排放口。74.一种在一反应器内用以接触流体反应物之方法,其包含以下步骤:a.导入一第一流体进入至该反应器内且位于一漩涡室上方之位置;b.导入一第一流体进入至该漩涡室内;c.导入一第二流体进入至该漩涡室内,并且使第一流体与第二流体相接触,而形成一漩涡室流体混合物;d.收集由该漩涡室内之一出口所流出之漩涡室流体混合物;e.分布该漩涡室流体混合物通过一粗略分布之网状结构,其中该网状结构包括一泼溅板与向外延伸之引道;f.将由该向外延伸之引道所出之流体混合物通至一分布装置,其中该分布装置包括一具有复数穿孔之重新分布板与复数个气泡帽盖,且至少某些气泡帽盖系与至少某些之穿孔相连结;及g.传送该流体混合物通过该重新分布板,以形成一重新分布盘流体混合物。75.根据申请专利范围第74项之方法,其进一步包含以下之步骤:a.将该重新分布盘流体混合物收集在复数个大致呈水平之集滴盘上,且至少某些集滴盘系位于该重新分布板之下方而与至少某些之气泡帽盖相连结;及b.分布所收集之重新分布盘流体混合物,并使其通过在集滴盘上之至少一排放口。76.一种用以将一流体由一反应器之第一床转换至一反应器之第二床之方法,其包含以下步骤:a.由该反应器之第一床导入一流体进入至一漩涡室;b.由该漩涡室移出该流体,并将其导入一粗略分布网状结构,其中该网状结构包括一泼溅板与向外延伸之引道;及c.径向地分布该流体通过一分布装置,其中该分布装置包括一具有复数穿孔之重新分布板与复数个气泡帽盖,且至少某些气泡帽盖系与至少某些之穿孔相连结;及d.传送该流体通过该重新分布板至该反应器之第二床。77.根据申请专利范围第76项之方法,其进一步包含以下之步骤:a.导入一第二流体进入该漩涡室内;及b.使第一流体与第二流体相接触,而形成一漩涡室流体混合物。78.根据申请专利范围第77项之方法,其进一步包含以下之步骤:a.将该重新分布盘流体混合物收集在复数个大致呈水平之集滴盘上,且至少某些集滴盘系位于该重新分布板之下方而与至少某些之气泡帽盖相连结;及b.分布该流体使其通过在集滴盘上之至少一排放口。79.一种漩涡室,其包括:a.一集滴盘;b.一配置在一顶板与一底板之间的壁体,该底板包括一开孔,用以提供流体连通至漩涡室外之装置,该壁体界定出该漩涡室之内部空间,该漩涡室进一步包括复数个开口,用以提供流体通入该漩涡室之装置;c.复数个位于漩涡室内并且与该开口相连通之折流板,其系用以收纳及导引该流体绕着该漩涡室而环周缘地进入。80.根据申请专利范围第79项之漩涡室,其中该开孔系位于该底板之中央。81.根据申请专利范围第79项之漩涡室,其中该开口系包括在该壁体中。82.根据申请专利范围第79项之漩涡室,其中每一折流板步骤包括:a.一底部呈切线方向之斜坡道,其邻接一开口之底部,并且附接至该漩涡室壁体之内部;b.一撞击壁,其系由该呈切线方向之斜坡道的较远端向上延伸而出;及c.一端壁,其系由呈切线方向之斜坡道向上延伸而出,并且与撞击壁与漩涡室壁体呈垂直。83.根据申请专利范围第79项之漩涡室,其中该折流板包括一环周缘之开口且垂直于进入开口,使得该进入之流体系呈切线方向地导向该漩涡室壁体。84.根据申请专利范围第82项之漩涡室,其中该撞擎壁系由该呈切线方向之斜坡道的较远端延伸至该顶板。85.根据申请专利范围第83项之漩涡室,其中每一折流板的环周缘之开口皆系呈相同之方向。86.根据申请专利范围第79项之漩涡室,其进一步包含一环绕该开孔周围而形成之堰部,而形成一位于漩涡室底板上之盆部。87.根据申请专利范围第79项之漩涡室,其进一步包含一平头截锥液体收集盘包围该漩涡室,并其中该液体收集盘收集由一位于该漩涡室上方之触媒床所流出之流体,并将其导向该开口。88.根据申请专利范围第87项之漩涡室,其中该平头截锥液体收集盘具有一端部系邻近该漩涡室壁体,并且位于该开口底部附近,且另一端具有一高于他端之高度,以形成一向下之斜锥表面。89.根据申请专利范围第88项之漩涡室,其中该漩涡室系呈圆柱状且包括该开口。90.根据申请专利范围第79项之漩涡室,其进一步包含一焠冷流体系统,该系统包括:a.一焠冷流体馈进管;b.一包围该漩涡室之同心状焠冷流体歧管;及c.复数个径向朝内延伸并穿过该漩涡室壁体之焠冷流体侧部,该侧部末端具有一喷嘴,每一喷嘴末端具有一排放开口,其系用以将焠冷流体导进该由折流板所流下来之流体流内。91.根据申请专利范围第90项之漩涡室,其中一单独喷嘴系与一单独之折流板相连结,使得由喷嘴排放出之焠冷流体可以导进由该相连结之折流板所流下来之流体流内。92.一种包括一漩涡室之反应器,该漩涡室包括:a.一集滴盘;b.一配置在一顶板与一底板之间的壁体,该底板包括一开孔,用以提供流体连通至漩涡室外之装置,该壁体界定出该漩涡室之内部空间,该漩涡室进一步包括复数个开口,用以提供流体通入该漩涡室之装置;c.复数个位于漩涡室内并且与该开口相连通之折流板,其系用以收纳及导引该流体绕着该漩涡室而环周缘地进入。93.根据申请专利范围第92项之反应器,其中该开孔系位于该底板之中央。94.根据申请专利范围第93项之反应器,进一步包含复数个位于漩涡室内并且与该开口相连通之折流板,其系用以收纳及导引该流体绕着该漩涡室而环周缘地进入。95.根据申请专利范围第92项之反应器,其中该开口系包括在该壁体中。96.根据申请专利范围第95项之反应器,其中每一折流板步骤包括:a.一底部呈切线方向之斜坡道,其邻接一开口之底部,并且附接至该漩涡室壁体之内部;b.一撞击壁,其系由该呈切线方向之斜坡道的较远端向上延伸而出;及c.一端壁,其系由呈切线方向之斜坡道向上延伸而出,并且与撞击壁与漩涡室壁体呈垂直。97.根据申请专利范围第92项之反应器,其中该折流板包括一环周缘之开口且垂直于进入开口,使得该进入之流体系呈切线方向地导向该漩涡室壁体。98.根据申请专利范围第97项之反应器,其中该撞击壁系由该呈切线方向之斜坡道的较远端延伸至该顶板。99.根据申请专利范围第97项之反应器,其中每一折流板的环周缘之开口皆系呈相同之方向。100.根据申请专利范围第92项之反应器,其进一步包含一环绕该开孔周围而形成之堰部,而形成一位于漩涡室底板上之盆部。101.根据申请专利范围第92项之反应器,其进一步包含一平头截锥液体收集盘包围该漩涡室,并其中该液体收集盘收集由一位于该漩涡室上方之触媒床所流出之流体,并将其导向该开口。102.根据申请专利范围第101项之反应器,其中该平头截锥液体收集盘具有一端部系邻近该漩涡室壁体,并且位于该开口底部附近,且另一端具有一高于他端之高度,以形成一向下之斜锥表面。103.根据申请专利范围第92项之反应器,其中该漩涡室系呈圆柱状且包括该开口。104.根据申请专利范围第92项之反应器,其进一步包含一焠冷流体系统,该系统包括:a.一焠冷流体馈进管;b.一包围该漩涡室之同心状焠冷流体歧管;及c.复数个径向朝内延伸并穿过该漩涡室壁体之焠冷流体侧部,该侧部末端具有一喷嘴,每一喷嘴末端具有一排放开口,其系用以将焠冷流体导进该由折流板所流下来之流体流内。105.根据申请专利范围第104项之反应器,其中一单独喷嘴系与一单独之折流板相连结,使得由喷嘴排放出之焠冷流体可以导进由该相连结之折流板所流下来之流体流内。106.一种粗略分布之网状结构,包括一泼溅板与向外延伸之引道,该引道系由该泼溅板径向朝外延伸。107.根据申请专利范围第106项之粗略分布之网状结构,其中该引道包括纵向导引,其具有底部及至少二连接至底部之壁体,该壁体包括一连串之开孔。108.根据申请专利范围第106项之粗略分布之网状结构,其中该引道具有矩形断面。109.根据申请专利范围第106项之粗略分布之网状结构,其中该引道系大致呈U字型且具有一平坦之水平底部或一圆弧状之底部。110.根据申请专利范围第106项之粗略分布之网状结构,其中该引道系呈V字型。111.根据申请专利范围第106项之粗略分布之网状结构,其系接合至径向支撑杆。图式简单说明:第一图显示一多床触媒反应器,其具有一部分切开以显示本发明之分布装置与焠冷区混合装置之一部分的垂直断面图。第二图系该焠冷区混合装置及分布装置之一部分的立体视图,其中几个部分系被删除以使其更能清楚显示该装置。吾人应可了解,该焠冷区混合装置未显示之部分与所显示之部分系径向对称的。第二图A系该焠冷区混合装置及分布装置之一部分的立体视图,其中显示该焠冷区混合装置之一不同实施例的部分。几个部分系被删除以使其更能清楚显示该装置。第二图B系该焠冷区混合装置及分布装置之一部分的立体视图,其中显示该焠冷区混合装置之又一不同实施例的部分。几个部分系被删除以使其更能清楚显示该装置。第二图C系该焠冷区混合装置及分布装置之一部分的立体视图,其中显示该装置之一不同实施例的部分。几个部分系被删除以使其更能清楚显示该装置。第二图D系第二图C之实施例之径向梁与粗略分布网状结构之分布引道之一端视图。第三图系该焠冷区混合装置之漩涡室之一部分的立体视图,其中几个部分系被删除以使其更能清楚显示该装置。吾人应可了解,该漩涡室未显示之部分与所显示之部分系径向对称的。第四图A系该焠冷区混合装置之一部分的顶视图,用以显示该焠冷流体系统。吾人应可了解,该焠冷流体系统未显示之部分与所显示之部分系径向对称的。第四图B系该焠冷流体系统之一部分横断面图。第五图A系该焠冷区混合装置之一部分的顶视图,用以进一步详细显示该粗略分布网状结构。吾人应可了解,该未显示之部分与所显示之部分系径向对称的。第五图B系该焠冷区混合装置之一部分的断面图,用以进一步详细显示该分布引道与重新分布盘。吾人应可了解,该未显示之部分与所显示之部分系径向对称的。第五图C系该径向支撑杆与该粗略分布网状结构之分布引道之端视图。第六图A系使用在本发明之分布装置内的立体视图。为求简洁,许多个别气泡帽盖并未显示。第六图B系一个别气泡帽盖连结至第六图A之重新分布盘之穿孔及其集滴盘的立体视图。有部分系切开以详细显示该气泡帽盖与集滴盘。第七图系显示在第六图B之集滴盘的一变化实施例的立体视图,显示复数个滴液导件。第八图系显示在第六图B之集滴盘的一变化实施例的立体视图,显示一个变化的底部结构。第九图系显示该集滴盘的一变化实施例的立体视图,其可使用于本发明之装置中。 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