| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体元件阵列,包括:复数个薄膜电晶 体元 件,以包含复数行与别的阵列方式形成于一基底上 ,每一 个薄膜电晶体元件包括:一源电极,一汲极电极,一 由第 一半导体层与第一闸绝缘层所成之第一叠层,及一 形成在 该第一叠层上之闸电极,该第一叠层系为岛状形式 ;复数 个汲极导线,位于该基底上,每一汲极导线均延伸 以连接 到配置在相关列(column)上每一薄膜电晶体元件的 汲极电 极上;复数个闸极导线,位于该基底上,每一汲极导 线均 延伸以连接到配置在相关行(row)上每一薄膜电晶 体元件 的闸电极上;复数个分别以岛状形式排列之侧壁间 隔物, 每一侧壁间隔物位于相对应之闸极导线与汲极导 线的交叉 处,用以使每一闸极导线与每一汲极导线绝缘,而 每一侧 壁间隔物包含一由第二半导体层与第二闸绝缘层 所成之第 二叠层;以及复数个相隔离之导电薄膜,由与该闸 极导线 相同之材料所制得,每一隔离之导电薄膜系形成来 与相关 之汲极导线连接。2.一种薄膜电晶体元件阵列,包 括:复数个薄膜电晶体元 件,以包含复数行与列的阵列方式形成于一基底上 ,每一 个薄膜电晶体元件包括:一源电极,一汲极电极,一 由第 一半导体层与第一闸绝缘层所成之第一叠层,及一 形成在 该第一叠层上之闸电极,该第一叠层系为岛状形式 ;复数 个汲极导线,位于该基底上,每一汲极导线均延伸 以连接 到配置在相关列(column)上年一薄膜电晶体元件的 汲极电 极上;复数个闸极导线,位于该基底上,每一汲极导 线均 延伸以连接到配置在相关行(row)上每一薄膜电晶 体元件 的闸电极上;复数个分别以岛状形式排列之侧壁间 隔物, 每一侧壁间隔物位于相对应之闸极导线与汲极导 线的交叉 处,用以使每一闸极导线与每一汲极导线绝缘,而 每一侧 壁间隔物包含一由第二半导体层与第二闸绝缘层 所成之第 二叠层;复数个像素电极,位于该基底上且电性连 接至该 源极电极,每一像素电极与相邻之闸极导线有一重 叠部份 ,以及复数个辅助电容,各自形成在该重叠部份上, 每一 辅助电容均包含一第三半导体层与第三闸绝缘层 薄膜所构 成的第三叠层,该第三叠层系为岛状形式。3.如申 请专利范围第2项所述之薄膜电晶体元件阵列,更 包括复数个相隔离之导电薄膜,由与该闸极导线相 同之材 料所制得,每一隔离之导电薄膜系形成来与相关之 汲极导 线连接。4.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶 体元件阵列,其 中该基底系一种用于液晶显示装置之基底,该闸极 导线和 该汲极导线分别地与该液晶显示装置之垂直驱动 器与水平 驱动器相连接。5.如申请专利范围第1项所述之薄 膜电晶体元件阵列,其 中该基底为可透光的。6.如申请专利范围第1项所 述之薄膜电晶体元件阵列,更 包括一n+半导体薄膜,该n+半导体薄膜系位于该第 一半导 体层下边的部份表面上。7.如申请专利范围第2项 所述之薄膜电晶体元件阵列,更 包括一n+半导体薄膜,该n+半导体薄膜系如同三明 治般的 位于该第一半导体层与每一像素电极之间。8.如 申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件阵列, 更 包括一n+半导体薄膜,该n+半导体薄膜系位于该第 一半导 体层下边的全部表面上。9.如申请专利范围第1项 所述之薄膜电晶体元件阵列,其 中该第一半导体包括一非晶矽薄膜,且在该第一半 导体层 下边的部分表面上具有一个由磷所扩散的区域。 10.如申请专利范围第2项所述之薄膜电晶体元件阵 列,其 中该像素电极是用透光的导电物质所制成。11.如 申请专利范围第2项所述之薄膜电晶体元件阵列, 其 中该像素电极是以氧化铟锡制成。12.如申请专利 范围第1项所述之薄膜电晶体元件阵列,其 中该汲极导线是以透光的导电物质所制成。13.如 申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件阵列, 其 中该汲极导线是以氧化铟锡制成。图式简单说明: 第一图 A是第一个习知例子的平面图;第一图B是第一图A中 沿A-A 线所作之剖面图;第一图C是第一图A中沿C-C线所作 之剖 面图;第二图A是第二习知例子的平面图;第二图B是 第二 图A中沿A-A线所作之剖面图;第二图C是第二图A中沿 C-C 线所作之剖面图;第三图A是第三个习知例子的平 面图; 第三图B是第三图A中沿A-A线所作之剖面图;第三图C 是第 三图A中沿C-C线所作之剖面图;第四图A是依据本发 明第 一实施例之平面图;第四图B是第四图A中沿A-A线所 作之 剖面图;第四图C是第四图A中沿C-C线所作之剖面图; 第 五图A、第五图D及第五图G系平面图,描述本发明第 一实 施例的制造方法;第五图B、第五图E及第五图H分别 是第 第五图A、第五图D及第五图G中沿A-A线所作之剖面 图;第 五图C、第五图F及第五图I分别是第五图A、第五图 D及第 五图G中沿B-B线所作之剖面图;第六图A是依据本发 明第 二实施例之平面图;第六图B是第六图A中沿A-A线所 作之 剖面图;第六图C是第六图A中沿B-B线所作之剖面图; 第 七图A、第七图D及第七图G系平面图,描述本发明第 二实 施例的制造方法;第七图B、第七图E及第七图H分别 是第 七图A、第七图D及第七图G中沿A-A线所作之剖面图; 第七 图C、第七图F及第七图I分别是第七图A、第七图D 及第七 图G中沿B-B线所作之剖面图;第八图是一示意图,用 来显 示一液晶显示器的显像部份,以及驱动此显像部份 的驱动 ;以及第九图是一液晶显示器中薄膜电晶体元件的 电路图 。 |
