发明名称 在线淀积LPCVD多晶硅石英系统保护层装置
摘要 一种在线淀积LPCVD多晶硅石英系统保护层装置,属于半导体集成电路制造工艺中的低压化学汽相淀积技术。现有淀积技术在石英管管壁上未淀积保护层,当管壁上所淀多晶硅薄膜的厚度大于5.5μ时,在遇上较大的温度变化时(如断电)石英管较高温区部位就会产生极深的碎裂纹以致无法继续使用,本实用新型在原有的淀积装置上另放置一条氨气气路,在石英管内壁在淀积多晶硅薄膜前预先淀积一保护层,大大提高了工作效率,延长了石英管的使用寿命。
申请公布号 CN2295273Y 申请公布日期 1998.10.21
申请号 CN96213793.6 申请日期 1996.06.21
申请人 北京大学 发明人 孙玉秀;刘诗美;李静;郝一龙;张国炳
分类号 H01L21/205;C23C16/00 主分类号 H01L21/205
代理机构 北京大学专利事务所 代理人 张平
主权项 1、一种在线淀积LPCVD多晶硅石英系统保护层装置,由石英管(9)、悬臂铲(8)、石英舟(11)、不绣钢套环(7)、压力传感器(6)、装卸门(5)、热阻丝炉(12)、罗茨泵(15)、机械泵(16)、硅烷气路(18)所组成,其特征是:另设置一条氨气气路,氨气气路入口装有阀门(2)和(4),在阀门(2)和(4)中间设有一质量流量计,排气口端与一独立排风系统相连接,在石英管(9)内壁有一保护层(13)。
地址 100871北京市海淀区北京大学