| 发明名称 | 带有低电阻连接电极半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法包括在半导体基片上形成一个杂质扩散层的步骤,形成一种绝缘膜覆盖杂质扩散层,而后在绝缘膜中形成开口延伸到杂质扩散层表面的步骤,和在开口中形成电极导体膜的步骤,进一步包括下述步骤,在开口中形成电极导体膜之前,进行离子注入用于扰动暴露在开口底部中杂质扩散层表面上和它附近的结晶度,和根据离子注入,进行退火用于还原杂质扩散层表面上和它附近的结晶度以激活杂质的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1196570A | 申请公布日期 | 1998.10.21 |
| 申请号 | CN98106430.2 | 申请日期 | 1998.02.11 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 佐藤俊一郎;津田浩嗣 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/265;H01L21/324;H01L21/82 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 傅康;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法包括如下步骤：(a)在半导体基片的表面上形成杂质扩散层；(b)形成绝缘膜覆盖所说的杂质扩散层，而在所说的绝缘膜中形成开口延伸到所说的杂质扩散层；(c)进行离子注入用于扰动暴露在开口底部中所说杂质扩散层的所说表面上和它附近的结晶度；而(d)在开口中形成电极导体膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||