发明名称 |
Leistungsdiode |
摘要 |
Die Erfindung betrifft eine pin-Diode, bestehend aus einer Innenzone (2), einer Kathodenzone (3), einer Anodenzone (6). Erfindungsgemäß ist die Grenzfläche (4) zwischen der Innenzone (2) und der Anodenzone (6) zumindest teilweise gekrümmt und/oder in der Innenzone (2) ist zumindest ein floatendes Gebiet (5) vom selben Leitungstyp und höhere Dotierungskonzentration als in der Innenzone (2) vorgesehen. Das Abkommutierverhalten bei derartigen geometrisch gekoppelten Leistungsdioden ist im Gegensatz zum Abkommutierverhalten von pin-Leistungsdioden (in der Ausführung als Read-Diode) mit Raumladungskopplung weitgehend temperaturunabhängig. In einer Weiterbildung lassen sich aus diesen FCI-Dioden Hybrid-Dioden mit optimiertem Durchlaß- und Abkommutierverhalten herstellen. Eine bevorzugte Anwendung finden FCI-Dioden in Verbindung mit schaltenden Leistungshalbleiterbauelementen als Spannungsbegrenzer oder Freilaufdioden. <IMAGE> |
申请公布号 |
EP0869559(A2) |
申请公布日期 |
1998.10.07 |
申请号 |
EP19980106092 |
申请日期 |
1998.04.02 |
申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
SITTIG, ROLAND;TAGHIZADEH-KASCHANI, KARIM-THOMAS |
分类号 |
H01L29/861;H01L29/864;H01L29/868;(IPC1-7):H01L29/864;H01L29/06 |
主分类号 |
H01L29/861 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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