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Beschrieben wird ein photovoltaischer Halbleiterheterostruktur-Strahlungsdetektor für Wellenlängen aus dem infraroten Spektralbereich, der eine aktive Schicht aufweist, die sich aus einer Vielzahl sich in periodischer Abfolge wiederholenden Einzelschichtsystemen zusammensetzt, die jeweils eine Potentialtopfstruktur mit wenigstens einem Quantumwell mit Subbändern als Anregungszone vorsieht, die einseitig mit einer Tunnelbarrierenzone verbunden ist, deren an die Anregungszone angrenzendes Potential höher ist, als die Bandkantenenergie einer Driftzone, die sich auf der anderen Seite der Potentialtopfstruktur anschliesst. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass die Driftzone an einer Einfangzone angrenzt, die wenigstens eine, Subbänder enthaltende Quantumwell-Struktur aufweist und mit der Tunnelbarrierenzone eines in periodischer Abfolge unmittelbar angrenzenden weiteren Einzelschichtsystems bestehend aus Anregungszone, Driftzone, Einfangzone und Tunnelbarrierenzone verbunden ist, dass die energetischen Niveaus der Subbänder der Quantumwell-Strukturen innerhalb der Anregungs- und Einfangzone sowie die Dicke der Tunnelbarrierenzone derart eingestellt sind, dass eine ausreichende Tunnelwahrscheinlichkeit zum Tunneln von Ladungsträgern von der Einfangzone durch die Tunnelbarrierenzone in die Anregungszone, vorhanden ist.
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