| 主权项 |
1.一种以喷雾热解法制作高分子薄膜之方法,主要系利用高分子前驱物或有机小分子所配制成的溶液,使之通过喷雾装置形成雾状液粒,直接喷洒于预热之基材上,沈积一层高分子薄膜,再镀以接触电极制成发光二极体元件。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,前述步骤(ii)中之制备的溶液的制作方式系包括下列步骤:(1)将高分子前驱物或有机小分子材料溶于适当溶液中,配制成溶液;(2)另外配制氢氧化钠水溶液,预先冰冻至0-5℃;(3)于0℃通氮气的条件下,将上述之溶液混合搅拌之后,再滴入盐酸直至溶液变成中性来终止聚合反应;(4)将所得的聚合物放入透析袋中进行透析;(5)将透析袋中溶液过滤,再控制调整其浓度。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,前述高分子前驱物为聚对苯乙烯或其衍生物或有机小分子材料。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,前述基材被预热到60-150℃。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,前述被喷洒于基材上的高分子薄膜的厚度约为1000-2000A。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,在前述高分子薄膜形成之后,更将上述已成膜的基材放入真空烤箱中,在接近10-2-10-4torr的真空度下,加热至200-350℃,然后使之停留1至数小时后,冷却至室温。7.如申请专利范围第2项所述之方法,其中,前述溶液的材料为聚对苯乙烯。8.如申请专利范围第2项所述之方法,其中,于0℃通氮气的条件下,混合搅拌上述溶液的时间的大于1小时。9.一种高分子发光二极体的制作方法,包括下列步骤:(i)将氧化铟锡基材清洗乾净,并固定于基材加热器上,予以加热,藉温度控制器测量并控制基材温度;(ii)将制备的溶液由溶液入口倒入喷雾装置,同时开启氮气入口,以气体流量计控制压力,然后经由喷嘴,使溶液形成微细雾状液粒,利用气体压力产生的趋动力,使雾状液粒密集且有力地喷着在已预热的基材表面,逐渐长成一高分子薄膜;(iii)将上述已成膜的基材放入真空烤箱中,在接近10-2-10-4torr的真空度下,加热至200-350℃附近,然后使之停留约1至数小时,冷却至室温,即可制得聚对苯乙烯薄膜;(iv)再于聚对苯乙烯膜上镀上铝电极,即可制得高分子发光二极体元件。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中,前述被喷洒于氧化铟锡基材上的高分子薄膜的厚度约为1000-2000A。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中,前述步骤(ii)中所述之制备的溶液的制作方式系将聚对苯乙烯溶于去离子水中,配制成0.40M的溶液;另外配制0.40M之10.0毫升的氢氧化钠水溶液,预先冰冻至0-5℃;于0℃通氮气的条件下,将上述之溶液混合搅拌1小时之后,再滴入0.10M的盐酸直至溶液变成中性来终止聚合反应;将所得的聚合物放入透析袋中进行透析;将透析袋中溶液过滤,再控制其浓度约为2.00mg/ml。12.如申请专利范围第9项所述之方法,其中,前述铝电极可用钙、镁等低功函数的电极取代。图式简单说明:第一图系绘示一般高分子发光二极体的结构之剖面图。第二图系绘示实施本发明所使用之喷雾装置基本构造图。第三图系绘示利用本发明所制得之高分子薄膜,经紫外-可见光(UV-Vis)光谱仪所测得之吸收光谱图。第四图系绘示利用本发明制得之高分子薄膜,经萤光光谱仪所测得之萤光光谱图。第五图系绘示利用本发明制得之高分子薄膜所测得的其电流对电压之关系图。 |
