发明名称 | 电子束曝光系统及其使用方法 | ||
摘要 | 一种电子束曝光系统及其使用方法,它能用一简单方法将在晶片表面(105)上测到的EB电流(101)控制在固定值内,而无需制备各种尺寸的电子束或改变电子束源的发射电流,该系统包含一个束调节过滤器(103),它有多个电子束吸收膜片,要被定位在经单元投影刻蚀所用的单元图形之一投射的电子束路径上。通过考虑单元图形的敞开空间,使得电子束吸收膜片的吸收系数为每个单元图形(103)产生固定的电子束电流强度。 | ||
申请公布号 | CN1193129A | 申请公布日期 | 1998.09.16 |
申请号 | CN98100690.6 | 申请日期 | 1998.03.09 |
申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 依马贵弘 |
分类号 | G03F7/20;H01J37/04 | 主分类号 | G03F7/20 |
代理机构 | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 刘晓峰;卢纪 |
主权项 | 1、一种具有电子束掩模的电子束曝光系统,电子束掩模包括包个用于单元投影刻蚀的单元图形,其特征在于,所述电子束曝光系统包含:束电流调节过滤器,它有一定数目的电子束吸收膜片,该电子束吸收膜片定位在经多个单元图形中的一个照射到目标材料上的投射电子束的路径上,所制备电子束吸收膜片的束吸收系数要在考虑多个单元图形中的每个敞开空间的情况下为多个单元图形中的每个产生基本固定的照射到目标材料上的电子束电流强度值。 | ||
地址 | 日本国东京都 |