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Die Erfindung betrifft einen Datenspeicher, und insbesondere einen Halbleiter-Datenspeicher (1), der die folgenden Merkmale aufweist: wenigstens ein Speicherzellenfeld (2), das Speicherzellen (S1) aufweist, wobei die Speicherzellen (S1) durch Anlegen wenigstens eines Selektionssignals an im Bereich der Speicherzellen (S1) vorgesehene Selektionsleitungen (XSEL 1, ..., XSEL n) selektierbar sind, wobei die Selektionsleitungen Wortleitungen und/oder Bitleitungen umfassen können; eine Redundanzschaltung (3, 7), die wenigstens eine Redundanzspeicherzelle (RS1) aufweist, wobei die Redundanzspeicherzellen (RS1) durch Anlegen wenigstens eines Redundanz-Selektionssignals an im Bereich der Redundanzspeicherzellen (RS1) vorgesehene Redundanz-Selektionsleitungen (RXSEL1, ..., RXSEL4) selektierbar sind, wobei die Redundanz-Selektionsleitungen Redundanzwortleitungen (RXSEL1, ..., RXSEL4) und/oder Redundanzbitleitungen umfassen können; eine Redundanz-Selektionsleitungsauswahlschaltung, in der wenigstens eine Zuordnungsinformation abspeicherbar ist, wobei die Redundanz-Selektionsleitungsauswahlschaltung so ausgebildet ist, dass aufgrund der Zuordnungsinformation wenigstens eine Redundanz-Selektionsleitung (RXSEL1) zu wenigstens einer Selektionsleitung (XSEL1) zuordenbar ist. Bei dem gattungsgemässen Datenspeicher werden zur Programmierung der Redundanzspeicherzellen relativ hohe Spannungen im Bereich von 10V oder grösser benötigt. Dazu ist ein zusätzlicher Schaltungsaufwand erforderlich. Gemäss der Erfindung weist die Redundanz-Selektionsleitungsauswahlschaltung zur Aufnahme der Zuordnungsinformation wenigstens einen ferroelektrischen und insbesondere statischen ferroelektrischen Zuordnungsspeicher (10, 11, 12, 13) auf, wodurch schnell und einfach Redundanzspeicherzellen (RS1) zu defekten Speicherzellen (S1) zuordenbar sind.
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