发明名称 | 外加磁场的丘克拉斯基晶体生长系统 | ||
摘要 | 一种外加磁场的丘克拉斯基晶体生长系统,具有至少一个容纳熔融的半导体材料的生长炉,在预定方向从熔融的半导体材料提拉晶体的提拉装置,和产生向熔融的半导体材料施加的磁场的磁场发生器。磁场发生器具有多个磁体单元,和把各磁体单元耦合在一起的耦合机构,以使生长炉位于所述磁体单元之间。 | ||
申请公布号 | CN1192489A | 申请公布日期 | 1998.09.09 |
申请号 | CN97126385.X | 申请日期 | 1997.11.14 |
申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 佐佐木高士;小口义广 |
分类号 | C30B15/00 | 主分类号 | C30B15/00 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 萧掬昌;王岳 |
主权项 | 1.一种外加磁场的丘克拉斯基晶体生长系统,包括,至少一个容纳熔融的半导体材料的生长炉,在预定方向从熔融的半导体材料提拉晶体的提拉装置,和产生向熔融的半导体材料施加的磁场的磁场发生器,其中,所述磁场发生器包括多个磁体单元,和把所述各磁体单元耦合在一起的耦合机构,以使所述至少一个生长炉位于磁体单元之间。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |