发明名称 外加磁场的丘克拉斯基晶体生长系统
摘要 一种外加磁场的丘克拉斯基晶体生长系统,具有至少一个容纳熔融的半导体材料的生长炉,在预定方向从熔融的半导体材料提拉晶体的提拉装置,和产生向熔融的半导体材料施加的磁场的磁场发生器。磁场发生器具有多个磁体单元,和把各磁体单元耦合在一起的耦合机构,以使生长炉位于所述磁体单元之间。
申请公布号 CN1192489A 申请公布日期 1998.09.09
申请号 CN97126385.X 申请日期 1997.11.14
申请人 株式会社东芝 发明人 佐佐木高士;小口义广
分类号 C30B15/00 主分类号 C30B15/00
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 萧掬昌;王岳
主权项 1.一种外加磁场的丘克拉斯基晶体生长系统,包括,至少一个容纳熔融的半导体材料的生长炉,在预定方向从熔融的半导体材料提拉晶体的提拉装置,和产生向熔融的半导体材料施加的磁场的磁场发生器,其中,所述磁场发生器包括多个磁体单元,和把所述各磁体单元耦合在一起的耦合机构,以使所述至少一个生长炉位于磁体单元之间。
地址 日本神奈川县