半导体器件的制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体器件的制造方法,包括在半绝缘性半导体基片上有选择地形成电阻区域,在该电阻区域的两端部上有选择地形成欧姆电极。在电极间形成有开口部的光刻胶,使完全不横穿电阻区域。借助于一点一点不断地蚀刻除去所述开口内的电阻区域,得到所要的电阻值。本发明的半导体器件的制造方法,能事先防止电阻值变得无限大,能改善电阻值的控制性和均匀性,并能提高原材料的利用率。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下述工序：在半绝缘性半导体基片上利用离子注入或者扩散杂质有选择地形成电阻区域的工序，在该电阻区域的两端部上形成电极的工序，在所述基片的表面上形成膜后，形成不横穿所述电阻区域的所述膜的开口部的工序，借助于在该开口部蚀刻露出的所述电阻区域，进行所述电阻区域的电阻值的调整的工序。