| 发明名称 | 自调制激光晶体Cr<SUP>4+</SUP>,Yb<SUP>3+</SUP>:Y<SUB>3</SUB>Al<SUB>5</SUB>O<SUB>12</SUB> | ||
| 摘要 | 本发明的自调制激光晶体Cr<SUP>4+</SUP>,Yb<SUP>3+</SUP>:Y<SUB>3</SUB>Al<SUB>5</SUB>O<SUB>12</SUB>是以Y<SUB>3</SUB>Al<SUB>5</SUB>O<SUB>12</SUB>(YAG)作为基质,同时含有Cr<SUP>4+</SUP>和Yb<SUP>3+</SUP>两种离子和补偿离子Ca<SUP>2+</SUP>或Mg<SUP>2+</SUP>。因为在基质YAG中,掺杂Yb<SUP>3+</SUP>离子的浓度可以高达1～25mol%,则相应的Cr<SUP>4+</SUP>离子的调制范围也宽,利用Cr<SUP>4+</SUP>离子的可饱和吸收特性,对Yb<SUP>3+</SUP>的1.030mm激光实现自调Q。很适宜做为InGaAs半导体或Ti:Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>钛宝石激光泵浦的激光器,可不外加调制元件,实现自调Q。做成的激光器可以小型化、集成化和实用化。 | ||
| 申请公布号 | CN1191904A | 申请公布日期 | 1998.09.02 |
| 申请号 | CN97106292.7 | 申请日期 | 1997.02.26 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 徐军;邓佩珍;周国清 |
| 分类号 | C30B29/28 | 主分类号 | C30B29/28 |
| 代理机构 | 上海华东专利事务所 | 代理人 | 李兰英 |
| 主权项 | 1、一种自调制激光晶体Cr4+，Yb3+：Y3Al5O12，以Y3Al5O12(YAG)作为基质，掺杂Cr4+和Yb3+离子，其特征在于在基质Y3Al5O12中掺有补偿离子，使Cr4+和Yb3+两种离子在基质YAG中同时共存。 | ||
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