Lichtemittierende Vorrichtung auf Basis einer Galliumnitrid-Halbleiterverbindung,申请号DE19936019854-传众专利搜索

发明名称	Lichtemittierende Vorrichtung auf Basis einer Galliumnitrid-Halbleiterverbindung
摘要
申请公布号	DE69319854(D1)	申请公布日期	1998.08.27
申请号	DE19936019854	申请日期	1993.11.19
申请人	NICHIA CHEMICAL INDUSTRIES, LTD., ANAN, TOKUSHIMA, JP	发明人	NAKAMURA, SHUJI, C/O NICHIA CHEMICAL IND., LTD., ANAN-SHI, TOKUSHIMA-KEN, JP;MUKAI, TAKASHI, C/O NICHIA CHEMICAL IND., LTD., ANAN-SHI, TOKUSHIMA-KEN, JP;IWASA, NARUHITO, C/O NICHIA CHEMICAL IND.,LTD., ANAN-SHI, TOKUSHIMA-KEN, JP
分类号	H01L21/20;H01L33/00;H01L33/02;H01L33/32;H01S5/323;(IPC1-7):H01L33/00	主分类号	H01L21/20
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