| 发明名称 | 半导体激光器装置 | ||
| 摘要 | 通过使在半导体激光器的光学谐振腔的后端表面的反射Rr尽可能地大,能够获得减小的阈电流、较低的消耗功率等等。在安置半导体激光器(13)的底座(21)上形成用来控制半导体激光器(13)的输出的监视光电探测器(11)。使光电探测器(11)安置在上述的半导体激光器(13)放射主光束的端表面的前头。 | ||
| 申请公布号 | CN1190809A | 申请公布日期 | 1998.08.19 |
| 申请号 | CN98104289.9 | 申请日期 | 1998.01.22 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 伊集院诚司;平田照二;小笠原敦 |
| 分类号 | H01S3/00 | 主分类号 | H01S3/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光器装置，包括：安置半导体激光器的底座；用来控制上述的半导体激光器的输出并在上述的底座上形成的光电探测器，其中上述的光电探测器被安置在上述的半导体激光器放射主光束的端面的前头。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||