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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltungsstruktur mit niedrig dotiertem Drain und eine MOS-integrierte Schaltungsstruktur
摘要
申请公布号 DE69128554(T2) 申请公布日期 1998.08.13
申请号 DE1991628554T 申请日期 1991.03.22
申请人 APPLIED MATERIALS, INC., SANTA CLARA, CALIF., US 发明人 BEINGLASS, ISRAEL, SUNNYVALE, CA 94087, US;BORLAND, JOHN, SAN JOSE, CA 95132, US
分类号 H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/772;H01L29/41 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
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