刻蚀方法、结晶生长方法和半导体器件的制造方法

摘要

在所谓的in－situ(就地)工艺中进行半导体材料的刻蚀处理和其后的结晶生长处理。在in－situ工艺的结晶生长工序中,在供给结晶生长用的气体之前供给SiI₄气体。通过由SiI₄气体产生的碘对半导体层中产生的氧化膜(妨碍结晶生长的膜)进行刻蚀。其后,通过继续供给结晶生长用的气体,可生长所需要的结晶。此时,可将由SiI₄气体产生的硅对再结晶生长层进行掺杂。

主权项

1.一种使用卤素气体刻蚀半导体材料的方法，其特征在于：包括在高温高真空气氛中供给SiI4气体的工序；用SiI4气体的热分解产生的碘气体对配置于上述高温高真空气氛中的半导体材料进行刻蚀。