| 发明名称 |
FORMATION OF PARTIALLY PLATED FILM FOR THERMOELECTRIC SEMICONDUCTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH10212585(A) |
申请公布日期 |
1998.08.11 |
| 申请号 |
JP19970031301 |
申请日期 |
1997.01.29 |
| 申请人 |
AISIN SEIKI CO LTD |
发明人 |
KATO SEIKI;YANO HIDEO;YAMAZAKI MAKOTO;HACHISUGA JOJI |
| 分类号 |
C23C18/14;C23C18/50;C23C26/00;(IPC1-7):C23C18/14 |
主分类号 |
C23C18/14 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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