半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件的制造方法,包含如下步骤:在基片上形成具有中间绝缘膜的栅电极;然后在基片及栅电极整个表面上沉积绝缘膜;然后以一定角度将氮离子植入绝缘膜;通过蚀刻绝缘膜在栅电极的侧面上形成含氮的绝缘膜侧壁;将杂质引入栅电极和基片以形成源极和漏极扩散区;暴露栅电极和源极及漏极扩散区的表面并在其上沉积钛膜,去除钛膜的未反应部分,从而以自—对准方式在源极和漏极扩散区上和栅电极上形成钛硅化物层。

主权项

1、一种生产半导体器件的方法，其特征在于包含如下步骤：(1).在基片上形成一个栅电极，其具有一个中间的栅极绝缘膜；(2).在基片的整个表面上及所述栅电极上沉积一层绝缘膜，然后以一定角度将氮离子植入所述绝缘膜；(3).刻蚀所述绝缘膜，从而在所述栅电极的侧面上形成包含氮的一绝缘侧壁；(4).将杂质引入所述栅电极和所述基片，从而形成源极和漏极扩散区；(5).使所述栅电极表面和源极及漏极扩散区表面露出，在其整个表面上沉积一层钛膜，从而使所述钛膜及所述栅电极和源极及漏极扩散区之间发生反应；及(6).去除所述钛膜的未反应部分，从而在所述源极和漏极扩散区上及栅电极上以自一对准方式形成钛硅化物层。