| 主权项 |
1.一种自行对准接触之制程,其可制造具良好接触窗形状与金属-多晶矽间良好隔离之 自行对准接触,其包括:生成一闸极于一基体上;沉积一第一介电层,其堆叠于上述闸极上;定义并蚀刻出一电容区域;定义上述闸极;蚀刻上述闸极与第一介电层;形成一第二介电层以包围上述闸极与上述第一介电层;形成一间隔物,其生成于上述第二介电层之侧边;沉积一第三介电层于上述电容器区域内;形成源极/汲极区;沉积一第四介电层;沉积一第五介电层;对上述电容区域内之第三介电层作蚀刻;定义自行对准接触区;对上述第五介电层作蚀刻;对上述第四介电层作蚀刻;以及沉积并定义导电层。2.如申请专利范围第1项所述之自行对准接触之制程,其中上述第一介电层为厚TEOS 层。3.如申请专利范围第1项所述之自行对准接触之制程,其中上述第二介电层为薄氧化 层。4.如申请专利范围第1项所述之自行对准接触之制程,其中上述第三介电层为氧化层。5.如申请专利范围第1项所述之自行对准接触之制程,其中上述第四介电层为氮化矽 层。6.如申请专利范围第1项所述之自行对准接触之制程,其中上述第五介电层为USG/BPSG 层。7.如申请专利范围第1项所述之自行对准接触之制程,其中上述导电层材质为铝-矽- 铜合金。8.如申请专利范围第1项所述之自行对准接触之制程,其中蚀刻上述闸极与第一介电层 之方法为2段式蚀刻。9.如申请专利范围第1项所述之自行对准接触之制程,其中上述间隔物为氮化物间隔 物。10.如申请专利范围第1项所述之自行对准接触之制程,其中蚀刻上述电容区域域内之 第三介电层之方法为湿蚀刻。11.如申请专利范围第1项所述之自行对准接触之制程,其中蚀刻上述第五介电层之方 法为先用湿蚀刻,后用乾蚀刻。12.如申请专利范围第1项所述之自行对准接触之制程,其中蚀刻上述第四介电层之方 法为先用湿蚀刻,后用乾蚀刻。13.一种自行对准接触之结构,可提供金属与多晶矽间良好隔离并具备良好的接触窗形 状,可置于基体上,其包括:一闸极,其生成于上述基体上;一第一介电层,其堆叠于上述闸极之上;一第二介电层,其包围上述闸极;一间隔物,其上述第二介电层之侧边,提供金属与多晶矽间隔离;以及一第三介电层,沉积于整个上述结构之上。14.如申请专利范围第13项所述之自行对准接触之结构,其中上述第一介电层为厚TEOS 层。15.如申请专利范围第13项所述之自行对准接触之结构,其中上述第二介电层为薄氧化 层。16.如申请专利范围第13项所述之自行对准接触之结构,其中上述间隔物为氮化物间隔 物。17.如申请专利范围第13项所述之自行对准接触之结构,其中上述第三介电层为薄氮化 层。18.一种自行对准接触之制程,其包括:形成一闸极于一已做Vt植入之基体上;沉积一第一介电层于上述闸极上;沉积一第二介电层于上述第一介电层上;沉积一第三介电层于上述第二介电层上;对上述闸极定义并作蚀刻;生成一第四介电层于上述闸极周围;生成一间隔物于上述第一介电层,第二介电层,第三介电层以及第四介电层之周围;沉积一第五介电层于整个结构上;定义自行对准接触;对源极/汲极及电容接触作蚀刻;定义多晶矽接触;对上述第三及第五介电层作蚀刻;作前金属蚀刻;沉积阻障金属层;对上述阻障金属层进行快速加热回火;去除杂质;以及沉积并定义导电层。19.如申请专利范围第18项所述之自行对准接触之制程,其中可对上述闸极作POCl3之 掺杂以增加上述闸极之导电性。20.如申请专利范围第18项所述之自行对准接触之制程,其中上述第一介电层为氧化 层。21.如申请专利范围第18项所述之自行对准接触之制程,其中上述第二介电层为氮化 层。22.如申请专利范围第18项所述之自行对准接触之制程,其中上述第三介电层为TEOS 层。23.如申请专利范围第18项所述之自行对准接触之制程,其中上述第四介电层为氧化 层。24.如申请专利范围第18项所述之自行对准接触之制程,其中上述间隔物为氮化物间隔 物。25.如申请专利范围第18项所述之自行对准接触之制程,其中上述第五介电层为USG/ BPSG层。26.如申请专利范围第18项所述之自行对准接触之制程,其中上述阻障金属层为Ti/TiN 层。27.如申请专利范围第18项所述之自行对准接触之制程,其中上述导电层材质为铝-矽 -铜合金。28.如申请专利范围第18项所述之自行对准接触之制程,其中对源极/汲极及电容接触 作蚀刻之方法为先用乾蚀刻,后用湿蚀刻。29.如申请专利范围第18项所述之自行对准接触之制程,其中第三及第五介电层蚀刻之 方法为先用湿蚀刻,后用乾蚀刻。30.如申请专利范围第18项所述之自行对准接触之制程,其中对前金属作蚀刻之方法为 湿蚀刻。图式简单说明:第1a图至第1c图所示为第一种习知技术之自行对准接触之制造流程及其结构;第2a图至第2c图所示为第二种习知技术之自行对准接触之制造流程;第3a图至第3c图所示为根据本发明之第一实施例之自行对准接触之制造流程及其结构;以及第4a图至第4c图所示为根据本发明之第二实施例之自行对准接触之制造流程。 |
