| 发明名称 |
CIRCUIT AND METHOD FOR REPLACING DEFECTIVE MEMORY CELL WITH REDUNDANT MEMORY CELL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH10188595(A) |
申请公布日期 |
1998.07.21 |
| 申请号 |
JP19970324962 |
申请日期 |
1997.11.26 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELECTRON INC |
发明人 |
DAVID C MAKUKURUUA |
| 分类号 |
G11C29/04;G11C29/00;(IPC1-7):G11C29/00 |
主分类号 |
G11C29/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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