发明名称 | 动态随机存取存储器绝缘层上有硅的结构和制作方法 | ||
摘要 | 一种动态随机存取存储器绝缘层上有硅的结构和制作方法包括:一氧化埋层上覆盖有硅表层且在硅基底之上多个场氧化区域,形成并延伸过该基底的硅表层,且与该硅氧化埋层接触;多个栅极氧化层、多个栅电极和多个源/漏极区;一渠沟,开放并穿过转换场效应晶体管的源/漏极区间;沉积一多晶硅层以排列渠沟,并对该多晶硅层构图以形成至少部分存储电容器的低电极;多个低电容电极,覆盖着一薄介电层;一掺杂多晶硅的高电容电极。 | ||
申请公布号 | CN1187693A | 申请公布日期 | 1998.07.15 |
申请号 | CN97102121.X | 申请日期 | 1997.01.09 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 孙世伟 |
分类号 | H01L27/108;H01L21/8242 | 主分类号 | H01L27/108 |
代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 杨梧 |
主权项 | 1、一种动态随机存取存储器绝缘层上有硅的结构,该结构包括:(a)一基底,具有硅表层,并覆盖着硅氧化埋层;(b)一场绝缘区域,形成于该基底的表面,延伸过该基底的硅表层,并与该硅氧化埋层接触,为该硅表层上的有源器件区;(c)一第一和第二源/漏极区,形成于该有源器件区之中,为该硅表层上的通道区;(d)一栅极氧化层,形成在该通道区上;(e)一栅极电极,在栅极氧化层上;(f)一渠沟,形成于该第一和第二源/漏极区,通过硅表层且进入硅氧化埋层中;(g)一低电容电极,延伸至该渠沟;(h)一介电层,在该低电容电极上;以及(i)一高电容电极。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区 |