| 主权项 |
2012141.一种用于欧姆接触的多层结构制造方法,其包括下列步骤:(a)提供一基板;(b)在该基板表面形成一氮化镓层;(c)在该氮化镓层表面形成一阶梯式氮化镓钪(GaxSc1-xN)堆叠层;(d)在该阶梯式氮化镓钪堆叠层表面形成一氮化钪层;及(e)在该氮化钪层表面形成一金属层。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该步骤(a)之基板材质为一蓝宝石(sapphire)、尖晶石(spinnel)、碳化矽(SiC)及砷化镓群组之一。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该步骤(a)更包括在该基板表面形成一缓冲层。4.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中,该步骤(a)之缓冲层材质为氮化铝(AlN)、氮化镓(GaM)及氮化镓铝(AlGaN)群组之一。5.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中,该缓冲层之厚度约为20至5Onm。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该步骤(c)之阶梯式氮化镓钪(GaxSc1-xN)堆叠层,其各层X値由1至0逐层递减。7.如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中,该步骤(c)之阶梯式氮化镓钪(GaxSc1-xN)堆叠层,共每层厚度约为5-20nm。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该步骤(c)系以有机金属化学气相沈积法(MOCVD)来形成该阶梯式氮化镓钪(GaxSc1-xN)堆叠层。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该步骤(c)系以分子束磊晶法(MBE)来形成该阶梯式氮化镓钪(GaxSc1-xN)堆叠层。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该步骤(e)之金属层材质为铝、金、钨、钛/铝、镍/金之群组之一。11.一种用于欧姆接触的多层结构制造方法,其包括下列步骤:(a)提供一基板;(b)在该基板表面形成一氮化镓层;(c)在该氮化镓层表面依序形成一氮化钪层/氮化镓层复数次,并重复该步骤一既定次数,以构成一超晶格堆叠层;(d)在该超晶格堆叠层表面形成一氮化钪层;及(e)在该氮化钪层表面形成一金属层。12.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中,该步骤(a)更包括在该基板表面形成一缓冲层。13.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中,该步骤(a)之缓冲层材质为氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)及氮化镓铝(AlGaN)群组之一。14.如申请专利范围第13项所述之制造方法,其中,该缓冲层之厚度约为20至5Onm。15.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中,该步骤(c)之起晶格堆垒层,其各氮化镓层及氮化钪层厚度约为O.5-5nm。16.如申请专利范围第15项所述之制造方法,其中,该步骤(c)系在该氮化镓层表面依序形成该氮化镓层/氮化钪层,并重复此步骤5-20次。17.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中,该步骤(c)系以有机金属化学气相沈积法(MOCVD)来形成该超晶格堆垒层。18.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中,该步骤(c)系以分子束磊晶法(MBE)来形成该超晶格堆叠层。19.一种欧姆接触的多层结构,其包括:一基板;一氮化镓层,形成于该基板表面;一阶梯式氮化镓钪(GaxSc1-xN)堆叠层,由复数个具不同X値之氮化镓钪(GaxSc1-xN)层组成,其形成于该氮化镓层表面;一氮化钪层,形成于该阶梯式氮化镓钪(GaxSc1-xN)堆叠层表面;及一金属层,形成于该氮化钪层表面。20.一种欧姆接触的多层结构,其包括:一基板;一氮化镓层,形成于该基板表面;一超晶格堆层,由复数个氮化镓层/氮化钪层组成,其形成于该氮化镓层表面;一氮化钪层,形成于该超晶格堆叠层表面;及一金属层,形成于该氮化钪层表面。图式简单说明:第1至3图系显示本发明之一实施例中,用于氮化镓层之欧姆接触的多层结构制造方法之剖面图;及第4至6图系显示本发明之另一实施例中,用于氮化镓层之欧姆接触的多层结构制造方法之剖面图。 |
