| 摘要 |
<p>Bei einem Brennofen (10) für die Hochtemperatur-Behandlung von Materialien mit relativ kleinem dielektrischem Verlustfaktor (tan δ) unter Erwärmung des Materials durch Absorption von Mikrowellenenergie in einem Hohlraumresonator (16), in dem das Behandlungsgut (11) innerhalb eines Teilbereiches angeordnet ist, in dem durch schmalbandige Einstrahlung von Mikrowellenenergie innerhalb eines Toleranzbereiches eine gleichmäßige Energiedichte des Mikrowellenfeldes gegeben ist, derart, daß in jedem Volumenelement des Behandlungsraumes das Quadrat (E2) der elektrischen Feldstärke des Mikrowellenfeldes zumindest im zeitlichen Mittel innerhalb eines geringen Toleranzbereiches denselben Betrag hat, wobei das Verhältnis V/μ3 des Resonatorvolumens V zur dritten Potenz der Wellenlänge μ einen Wert im Bereich von 106 hat, ist zur Einkopplung der von der Mikrowellenquelle (13) erzeugten primären Mikrowellenstrahlung in den Hohlraumresonator (16) eine Schlitz-Antennenanordnung (14) mit ausgeprägter Keulencharakteristik vorgesehen. Mit der von der Antennenanordnung abgestrahlten Primärstrahlung wird ein Mikrowellendiffusor (19) annähernd ausgeleuchtet. Das Behandlungsgut wird in einem Raumbereich des Hohlraumresonators angeordnet, in dem es ausschließlich der vom Diffusor (19) ausgehenden Sekundär-Mikrowellenstrahlung ausgesetzt ist.</p> |
