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<P>L'invention concerne un procédé de formation de tranchées profondes dans un circuit intégré de type BICMOS dans lequel la formation d'un transistor bipolaire comprend les étapes consistant à déposer une couche de silicium polycristallin de base (23), déposer une couche d'oxyde de protection (24), former une ouverture d'émetteur-base, et graver la couche d'oxyde de silicium de protection (24) et la couche de silicium polycristallin de base (23) en-dehors des zones du transistor bipolaire. La formation des tranchées comprend les étapes consistant à ouvrir l'ensemble des couches d'oxyde de protection et de silicium polycristallin de base au-dessus d'une zone d'oxyde épais en même temps que l'on réalise l'ouverture d'émetteur-base, graver la couche d'oxyde épais en même temps que l'on grave la couche d'oxyde de protection, et graver le silicium sous l'oxyde épais en même temps que l'on grave le silicium polycristallin de base.</P>
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