结晶半导体的制造方法

摘要

为覆盖非晶膜,设置构成掩模的氧化硅膜,在其上形成具有镍等促进结晶化的催化元素的覆膜,在此状态下如果进行热退火,催化元素从孔向非结晶硅膜中扩散,从而获得结晶硅膜。此硅膜具有结晶方向一致的特征。接着在照样附着有掩模的状态下,送入含有氯的气体。这时虽然在孔部分的硅膜上可使催化元素透过,但调整气氛与温度,形成不蚀刻硅膜厚度的氧化膜。在此工序中用卤素通过孔将硅膜中的催化元素去除,而硅的结晶性不变化。因此得到了良好的结晶性硅膜。

主权项

1、一种结晶半导体的制造方法，具有：在非晶硅膜上形成具有催化元素导入孔的掩模膜的第一工序；在上述催化元素导入孔上形成具有催化元素的覆膜的第二工序；通过热处理，使非晶硅膜横向生长的第三工序；以及导入具有卤化物和氧的气体，并在450～700℃下，对上述横向生长的硅膜进行热处理的第四工序。