场绝缘膜上表面平坦的半导体器件及其方法

摘要

使场氧化膜102的上表面制成平面的以消除通常所形成的膨胀。更具体地说,用挖槽的硅局部氧化方法形成场氧化膜102,使得沿着朝向基片101内侧的方向形成凸面,同时具有基本上是平面的上表面。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，它包括：一块半导体基片；一个形成在所述半导体基片上的元件隔离区；一个与所述半导体基片上的所述元件隔离区邻近形成的扩散区；一层形成在所述元件隔离区上的第一导电膜，所述第一导电膜有一在所述元件隔离区之上基本上平坦的上表面；一层覆盖所述扩散区和所述第一导电膜的夹层绝缘膜，所述夹层绝缘膜有一形成在其中的窗口，用以露出所述扩散区和部分所述第一导电膜；以及一层形成在所述夹层绝缘膜上并埋入所述窗口内用以与所述露出部分的所述第一导电膜和所述扩散层相连接的第二导电膜。