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发明名称 Group III nitride based compound semiconductor laser diode
摘要
申请公布号 EP0688070(B1) 申请公布日期 1998.07.01
申请号 EP19950105899 申请日期 1995.04.20
申请人 TOYODA GOSEI CO., LTD.;RESEARCH DEVELOPMENT CORPORATION OF JAPAN;AKASAKI, ISAMU;AMANO, HIROSHI 发明人 KATO, HISAKI;KOIDE, NORIKATSU;KOIKE, MASAYOSHI;AKASAKI, ISAMU;AMANO, HIROSHI
分类号 H01S5/02;H01S5/323;(IPC1-7):H01S3/19;H01L33/00 主分类号 H01S5/02
代理机构 代理人
主权项
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