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<p>Zur Ansteuerung paralleler Leitungen, zum Beispiel Bitleitungen (BLn) einer Speicherzellenanordnung, die in einem Halbleitersubstrat angeordnete, dotierte Gebiete umfassen, werden mehrere der Leitungen (BLn) elektrisch miteinander und mit einem gemeinsamen Knoten (K) verbunden. Quer zu den Leitungen (BLn) sind mehrere Auswahlleitungen (ALn) vorgesehen. An den Kreuzungspunkten sind MOS-Transistoren (M1, M2) angeordnet, die längs einer der Leitungen (BLn) in Reihe verschaltet sind und deren Gateelektrode durch die entsprechende Auswahlleitung (ALn) gebildet sind. Mindestens ein MOS-Transistor (M1) in jeder der parallelen Leitungen (BL1) weist eine höhere Einsatzspannung als die übrigen auf.</p> |
