发明名称 | 氧化物半导体热敏电阻及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种氧化物半导体热敏电阻及其制造方法,其主要是以钴、锰、镍的硝酸盐或醋酸盐为原料,采用液相共沉淀法制备材料粉体,加入乳化剂OP进行清洗,然后将粉体进行分解、研磨、预烧后制成。该热敏电阻为玻璃密封两端引线型,具有体积小,稳定性好,可靠性高等特点,适用于温度测量、控制和线路补偿。所得产品其电学参数指标均达到日本同类产品水平,从而替代了该产品依靠进口的局面。 | ||
申请公布号 | CN1185634A | 申请公布日期 | 1998.06.24 |
申请号 | CN96122180.1 | 申请日期 | 1996.12.14 |
申请人 | 中国科学院新疆物理研究所 | 发明人 | 杨文;康健;张昭;王大为 |
分类号 | H01C7/00 | 主分类号 | H01C7/00 |
代理机构 | 中国科学院新疆专利事务所 | 代理人 | 张莉 |
主权项 | 1、一种氧化物半导体热敏电阻及其制造方法,其特征在于,该热敏电阻是以钴、锰、镍的硝酸盐或醋酸盐为原料,采用液相共沉淀法制备材料粉体,加入乳化剂OP进入清洗,然后将粉体进行分解、研磨、预烧,再进行预成型,冷等静压高湿烧结制成;原材料各组份配比为(摩尔百分比%)钴30-40 锰35-45 镍15-20 | ||
地址 | 830011新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号 |