发明名称 半导体装置之制造方法
摘要 本发明的课题:从接着剂薄片截取形成接着形状的接着剂,将该接着剂贴着在从多数个连接装置所被树脂封包的半导体晶片的基板所截取之单体的半导体模组,而接着半导体模组与模组支撑基板时,所被截取的接着剂由于小而薄因而难于使用﹔且对半导体模组接着剂难于位置定位,作业上耗费时间。其解决手段:将开放对应于树脂封包部的复数个孔之接着剂薄片1接着在连接装置晶片的基板4,其后将基板4与接着剂1一次切断。
申请公布号 TW334619 申请公布日期 1998.06.21
申请号 TW086105149 申请日期 1997.04.21
申请人 东芝股份有限公司 发明人 大森纯;佐藤寿巳江
分类号 H01L23/12 主分类号 H01L23/12
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种半导体装置之制造方法,其特征为具备:以所定间隔复数个配置在基板之半导体模组,具备以保护构件覆盖在基板的第1主面上之半导体元件,与被形成在前述基板的第2主面上,导电连接至前述半导体元件之外部连接端子等;准备前述复数个半导体模组之过程;及将在对应于前述复数个半导体模组的位置配置开口部而被设置之薄片状接着剂贴着在前述基板的第1主面上之过程;及在前述半导体模组之前述保护构件的周边设置薄片状接着剂,且在所被截取的前述基板分别设置前述半导体元件使其截取前述基板及前述薄片状接着剂之过程;及所被截取的前述基板含有前述半导体模组,接着此基板及支撑基板之过程等。2.如申请专利范围第1项的半导体装置之制造方法,其中前述薄片状接着剂系为被回卷成卷轴状。3.如申请专利范围第1项的半导体装置之制造方法,其中前述保护构件为树脂。4.如申请专利范围第1项的半导体装置之制造方法,其中前述支撑基板系为具有保持前述半导体模组的凹部,且前述保护构件的周边确实地安装在前述凹部,使其易于连接至前述半导体元件。5.如申请专利范围第4项的半导体装置之制造方法,其中覆盖前述半导体的保护构件由于比前述支撑基板的凹部还小,所以在前述保护构件与前述支撑板之间被设有间隙。6.如申请专利范围第1项的半导体装置之制造方法,其中前述薄片状接着剂系为能脱离地被附着在剥离纸。7.一种半导体装置之制造方法,其特征为具备:以所定间隔复数个配置在基板之半导体模组,具备以保护构件覆盖在基板的第1主面上之半导体元件,及被形成在前述基板的第2主面上,导电连接至前述半导体元件之外部连接端子,准备前述复数个半导体模组之过程;及配置在对应于前述复数个半导体模组的位置而被设置,将复数个具有围绕前述半导体模组的周边之形状的接着剂部之薄片状接着剂贴着在前述基板的第1主面上之过程;及在前述半导体模组之前述保护构件的周边设置薄片状接着剂,且在所被截取的前述基板分别设置前述半导体元件而截取前述基板及前述薄片状接着剂之过程;及所被截取的前述基板含有前述半导体模组,接着此基板及支撑基板之过程等。8.如申请专利范围第7项的半导体装置之制造方法,其中前述薄片状接着剂被回卷成卷轴状。9.如申请专利范围第7项的半导体装置之制造方法,其中前述保护构件为树脂。10.如申请专利范围第7项的半导体装置之制造方法,其中前述支撑基板系为具有保持前述半导体模组的凹部,且前述保护构件的周边确实地安装在前述凹部,使其易于连接至前述半导体元件。11.如申请专利范围第10项的半导体装置之制造方法,其中覆盖前述半导体的保护构件由于比前述支撑基板的凹部还小,所以在前述保护构件与前述支撑基板之间被设有间隙。12.如申请专利范围第7项的半导体装置之制造方法,其中前述薄片状接着剂系为含有能脱离地被附着在剥离纸之复数个前述接着剂部。13.如申请专利范围第7项的半导体装置之制造方法,其中前述接着剂部系为具有对应于覆盖前述半导体元件之保护构件的长方形形状之长方形形状框。图示简单说明:第一图系为表示本发明第1实施例之图。第二图系为表示本发明第1实施例之图。第三图系为表示本发明第2实施例之图。第四图系为表示卡片型模组之图。第五图系为表示半导体模组之图。第六图系为半导体模组之断面图。第七图系为表示过去的接着方法之图。第八图系为表示过去的接着方法之图。
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