发明名称 | 静态型半导体存储器 | ||
摘要 | 提供一种在低电源电压下可以进行高速并且低功耗的读出工作从而可以缩小存储单元面积的静态型半导体存储器。在列方向相邻的存储单元MC1和MC2共用驱动对应的位线的电位电平的双极型晶体管Q7。另一方面,在列方向相邻的MC2和MC3共用驱动对应的位线/BL的电位电平的双极型晶体管Q8。双极型晶体管根据所选择的存储单元的存储信息驱动对应的位线的电位电平,所以,在低电源电压下也可进行高速的数据读出。 | ||
申请公布号 | CN1184317A | 申请公布日期 | 1998.06.10 |
申请号 | CN97115484.8 | 申请日期 | 1997.07.28 |
申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 和田知久;有田丰 |
分类号 | G11C11/41 | 主分类号 | G11C11/41 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
主权项 | 1.一种静态型半导体存储器,其特征在于:具有多条字线、与上述字线交叉地设置多条位线和包含与上述字线和上述位线的交点对应地配置成矩阵状的多个存储单元的存储单元阵列,各上述存储单元包括2个输入输出节点、保存存储数据的双稳态元件和按照选择对应的字线的情况切换上述双稳态元件与上述输入输出节点的连接的切换装置,还具有在分别属于相邻的上述存储单元的至少每2个输入输出节点设置的、根据所选择的存储单元的上述输入输出节点的电位电平而驱动对应的上述位线的电位电平的多个双极型晶体管。 | ||
地址 | 日本东京都 |