半导体元件分离端缺陷评价测试结构和评价方法

摘要

提高用C－t测定法评价半导体元件分离端缺陷的测试结果之准确度。把铝压焊区设置到场氧化膜元件分离结构5之上。通过铝布线结构10等把铝压焊区11与栅极7电连接起来。测定时使探针3接触到压焊区11上来施加电压。通过使探针3不直接接触栅极7,使得应力不加到产生耗尽层的栅极绝缘膜6之下的区域内。

主权项

1.一种半导体元件分离端缺陷评价测试结构，其特征在于备有：在可以形成多个半导体元件的半导体衬底的主表面上形成的、具有把所述半导体元件分离开的足够厚度的第1绝缘膜，在所述主表面上与所述第1绝缘膜连接而形成的、厚度比所述第1绝缘膜薄的第2绝缘膜，从所述第2绝缘膜上延伸到所述第1绝缘膜上而形成的电极，在所述第1绝缘膜上形成的、同时与所述电极电气连接的用于以探针来接触的压焊区；所述半导体衬底在所述半导体衬底与所述压焊区之间不加电压时，在所述电极、所述第2绝缘膜及所述半导体衬底的层叠结构中的半导体衬底上不产生耗尽层，当施加给定电压时，在所述层叠结构中的所述半导体衬底上产生耗尽层，同时耗尽层一直延伸到所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜的边界附近之下。