| 摘要 |
En smeltetrådanordning (100) er anbrakt på et halvledersubstrat (107) for å tilveiebringe vilkårlige elektriske forbindelser. Smeltetrådanordningen ifølge opp- finnelsen innbefatter et silisidlag (104) og et polysilisiumlag (105), med silisidlaget dannet på polysilisiumlaget, og anordningen har en første uprogrammert resis- tans. Silisidlaget agglomererer for å danne en elektrisk diskontinuitet som reak- sjon på at et forutbestemt programmeringspotensial påtrykkes over silisidlaget, slik at smeltetrådanordningens resistans kan økes selektivt til en andre, pro- grammert resistans. |
