| 发明名称 | 半导体存储器件及读取其中数据的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体存储器件,包括:具有多个多逻辑值存储单元的存储单元阵列,每个存储单元存储多个充电状态字线,用于在列向选择存储单元;位线,用于在行向选择存储单元和读取电路,用于读取存储在选中存储单元中的数据。该半导体存储器件不再需要准备多个参考电压和读出放大器,可以在单个操作中提供多个读逻辑值。 | ||
| 申请公布号 | CN1182271A | 申请公布日期 | 1998.05.20 |
| 申请号 | CN97119098.4 | 申请日期 | 1997.10.24 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 及川隆一 |
| 分类号 | G11C11/409;H01L29/15 | 主分类号 | G11C11/409 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器件，包括：(a)具有按矩阵形式排列的多个多逻辑值存储单元(MC)的存储单元阵列，每个存储单元(MC)存储每个多个充电状态，每一充电状态代表一个逻辑值；(b)字线(WL)，用于在列方向上选择存储单元；(c)位线(BL)，用于在行方向上选择存储单元；和(d)读取电路，用于读取存储在所选中的存储单元中的数据，其特征在于所述读取电路包括：半导体超昌格(1)，它至少包括连续能带下的两个子能级(1)，所述半导体超晶格(1)接收从位线(BL)输出的位线信号(VBL)，并且每当所述位线信号(VBL)越过每个所述子能级时输出输出信号(VF)；及用于对所述输出信号(VF)计数以输出读逻辑值(Q)的计数器(5)。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||