半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种接触结构,不仅适合异质结双极型晶体管或异质绝缘栅场效应晶体管,也适用于普通半导体器件。在多晶或非晶未掺杂Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体或其合金的半导体层中形成一个接触通孔,其尺寸允许至少部分露出第一导电层和在第一导电层周围的绝缘Si合金层,在通孔中形成第二导电层,使之与第一导电层相接触。既然可将半导体层相对于绝缘Si合金层进行选择性干法腐蚀,则在半导体层中形成上述通孔时绝缘Si合金层不会被腐蚀,因而可避免第二导电层与位于绝缘Si合金层之下的单晶半导体层的电短路。

主权项

1.一种半导体器件包括：一单晶半导体层；在所述单晶半导体层上形成的第一导电层；在所述第一导电层每一边形成的第一绝缘Si合金层；在第一绝缘Si合金层上形成的多晶态、或非晶态未掺杂的III-V族化合物半导体的第一半导体层或其合金，且具有至少使所述第一导电层和所述第一绝缘Si合金层部分露出的通孔；以及 在所述通孔内与所述第一导电层接触而形成的第二导电层。