多层磁记录介质和磁阻驱动系统

摘要

本发明涉及一种改进的多层磁记录介质及之相结合的磁阻驱动系统。具体而言,本发明提出了一种包含交替设置的钴层或钴合金层和贵金属层如钯层或铂层的多层介质,和生产这种介质的方法。根据本发明的介质通常包括一个基底层,一个成核层,一个晶格和一个保护层。在某些实施例中,基底层为抛光铝。在其它一些实施例中,成核层的厚度大于100A,在某些实施例中位于大约200和600A之间。晶格通常包含由钴层(或钴合金层)和钯层或铂层组成的双层结构。钴层的厚度大约位于1.5A和10A之间,或大约位于2A和7A之间,或大约位于3A和5A之间。钯层或铂层的厚度大约位于5A和15A之间,或大约位于7A和12A之间,或大约位于8A和11A之间。晶格(33)中的双层结构或它的周期结构的数目大约位于10或30之间,或大约位于15和25之间。在某些实施例中,晶格(33)和成核层(32)的厚度不超过1500A。本发明还提出了一种新型的信息存储装置,该装置包括与一种垂直各向异性超过2×10⁶erg/cc、矫顽力有5000De高的垂直记录介质相结合的一个环形写入头和一个磁阻(MR)读出头。本发明还提出了一种改进的MR读出头。改进措施包括MR元件中的物理偏移,使MR元件偏离介质的垂直方向。

主权项

1.一种磁记录介质，包括：一个基底层，其上淀积有一个厚度大于50的非磁性金属成核层，该非磁性金属元素选自由钯和铂组成的元素组；和一个记录层，该记录层包括多个由磁性金属或其合金层和非磁性金属层组成的双层结构，其中该磁性金属或其合金层具有垂直磁各向异性，厚度为第一厚度，该非磁性金属元素选自由钯或铂组成的元素组，其厚度为第二厚度。