PROCEDIMIENTO Y APARATO DE PLASMA PLANO ELECTROMAGNETICAMENTE ACOPLADO, PARA EL ATAQUE DE OXIDOS.

摘要

SE DESCRIBE UN APARATO (10) PARA LA PRODUCCION DE UN PLASMA PLANO ACOPLADO ELECTROMAGNETICAMENTE QUE CONSTA DE UNA CAMARA (12) QUE TIENE UN BLINDAJE DIELECTRICO (18) EN UNA PARED DE LA MISMA Y UNA BOBINA PLANA (20) COLOCADA FUERA DE DICHA CAMARA (12) ACOPLADA A UNA FUENTE DE RADIOFRECUENCIA (30), CON LO QUE UN DEPURADOR (26) DE FLUOR SE MONTA O AÑADE A DICHA CAMARA (12). CUANDO SE ATACA CON UN PLASMA DE UN GAS DE FLUOHIDROCARBURO UN OXIDO DE SILICIO, EL DEPURADOR DE FLUOR (26) REDUCE LOS RADICALES LIBRES DE FLUOR, LO QUE MEJORA LA SELECTIVIDAD Y ANISOTROPIA DEL ATAQUE Y MEJORA LA VELOCIDAD DEL ATAQUE AL TIEMPO QUE REDUCE LA FORMACION DE PARTICULAS.