Feldeffekttransistor vom Metall-Oxyd-Halbleitertyp (MOSFET),申请号DE19926024903-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	Feldeffekttransistor vom Metall-Oxyd-Halbleitertyp (MOSFET)
摘要
申请公布号	DE69224903(D1)	申请公布日期	1998.04.30
申请号	DE19926024903	申请日期	1992.12.11
申请人	YOZAN INC., TOKIO/TOKYO, JP;SHARP K.K., OSAKA, JP	发明人	SHU, GUOLIANG, SETAGAYA-KU, TOKYO 155, JP;YANG, WEIKANG, SETAGAYA-KU, TOKYO 155, JP;WONGWARAWIPAT, WIWAT, SETAGAYA-KU, TOKYO 155, JP;TAKATORI, SUNAO, SETAGAYA-KU, TOKYO 155, JP;YAMAMOTO, MAKOTO, SETAGAYA-KU, TOKYO 155, JP
分类号	H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/088;H03F3/16;(IPC1-7):H01L27/06	主分类号	H01L21/8234
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