静态随机存取存储器及其制作方法

摘要

一种具有增进稳定性的SRAM存储单元,其包括的派通晶体管(pass transistors)的栅极利用氧化工序来定型,以使栅极的下缘被举升离开基底表面。由于负载与下拉晶体管(load and pull－down transistors)的栅极在氧化工序被遮蔽起来,负载与下拉晶体管的栅极可具有知的矩形造型。相对于流经下拉晶体管的电流,派通晶体管的栅极经过修改造型,减低了流经派通晶体管的电流,因而减低了数据由SRAM存储单元中被不恰当地损失掉的机会。

主权项

1、一种SRAM，其具有以位线进行寻址的多个SRAM存储单元，这些SRAM存储单元包括：一高参考电位接点与一低参考电位接点；一电荷存储节点；一下拉晶体管，其连接至该电荷存储节点与该低参考电位接点，该下拉晶体管具有一源极，一漏极与一下拉晶体管栅极；以及一派通晶体管，其连接至该电荷存储节点与一条位线，该派通晶体管具有一源极，一漏极与一派通晶体管栅极，派通晶体管栅极具有一下表面，其比该下拉晶体管的栅极的下表面被弯曲到更大的程度。