| 发明名称 |
INSPECTION METHOD OF RESISTANCE VALUE BETWEEN DRAIN AND SOURCE OF MOSFET |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH10104288(A) |
申请公布日期 |
1998.04.24 |
| 申请号 |
JP19960259409 |
申请日期 |
1996.09.30 |
| 申请人 |
MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD |
发明人 |
KAMI HIRONORI |
| 分类号 |
G01R31/26;G01R27/02;(IPC1-7):G01R27/02 |
主分类号 |
G01R31/26 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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