| 主权项 |
1.一种内金属介电层平坦化的方法,可以避免产生一有毒介层窗,包括下列步骤:a.提供一半导体基底,该半导体基底上已形成有一元件层;b.在该元件层上形成一金属层;c.在该金属层上形成至少一金属垫;d.定义该金属层的图案,形成复数个金属线与其间之复数个渠沟,并沈积一第一氧化层;e.在该第一氧化层上形成一旋涂玻璃层,用以填满该些渠沟;f.进行回蚀刻步骤,蚀刻该旋涂玻璃层至露出该金属垫表面;以及g.在该金属垫上形成一介层窗结构。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该元件层包括一电晶体元件。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该元件层包括一金属层。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤 a 更包括在该元件层上形成一阻障层,该阻障层系为钛与氮化钛层。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该阻障层系为钛与氮化钛层。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤 b 更包括在该金属层上形成一氮化钛层,其目的用以做抗反射层之用。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该金属层的厚度比该金属线的厚度大。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤 c 形成该金属垫的位置系为对应欲形成该插塞之处。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤 c 该金属垫的厚度约100埃到约2000埃之间。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤 d 该第一氧化层的形成方式系利用电浆加强式化学气相沈积法,沈积厚度约在1500埃到约2500埃之间。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤 e 该旋涂玻璃层的形成方式系为,先涂布一第一旋涂玻璃层,其厚度约1500埃到约3000埃之间,并进行固化步骤;然后再涂布一第二旋涂玻璃层,其厚度约1500埃到约3000埃之间,并进行固化步骤。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤 f 之目的为使得该金属垫上之该旋涂玻璃层可清除乾净。13.一种内金属介电层平坦化的方法,可以避免产生一有毒介层窗,包括下列步骤:a.提供一半导体基底,该半导体基底上已形成有一元件层;b.在该元件层上形成一金属层;c.进行微影与蚀刻步骤,蚀刻部分该金属层,使得在该金属层表面形成一金属垫;d.定义该金属层的图案,蚀刻该金属层与该阻障层,露出该元件层,形成复数个金属线与其间之复数个渠沟;e.在该些渠沟中与该些金属线上沈积一第一氧化层;f.在该第一氧化层上形成一旋涂玻璃层,用以填满该些渠沟;g.进行回蚀刻步骤,蚀刻该旋涂玻璃层至露出该金属垫表面;h.在该金属垫与该旋涂玻璃层上沈积一第二氧化层;以及i.进行微影与蚀刻步骤,蚀刻该第二氧化层而在该第二氧化层中对应该金属垫之处形成一开口,该开口用以形成一介层窗结构。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中步骤 h该第二氧化层的形成方式系利用电浆加强式化学气相沈积法,沈积厚度约在4000埃到约6000埃之间。15.如申请专利范围第13项所述之方法,其中步骤 i蚀刻步骤包括进行湿蚀刻步骤,再进行乾蚀刻步骤。图示简单说明:第一图到第七图系根据本发明之一较佳实施例,一种内金属介电层平坦化制程的侧视剖面示意图。 |
