| 主权项 |
1.一种功率半导体元件一绝缘闸双载子电晶体(IGBT )之保 护方法,包括步骤:a.利用一电压升高侦测器根据该 绝缘 闸双载子电晶体之电压变化相对地升高一电压指 标器的指 标电压;b.利用该电压指标器的指标电压升高到超 过一预 设电压时启动一保护启动电路;及c.利用该保护启 动电路 控制一驱动电路之开关元件关闭,使得该绝缘闸双 载子电 晶体截止动作。2.如申请专利范围第1项所述之功 率半导体元件一绝缘闸 双载子电晶体之保护方法,其中步骤a.的该绝缘闸 双载子 电晶体之电压会随着一电流値增加而上升。3.如 申请专利范围第2项所述之功率半导体元件一绝缘 闸 双载子电晶体之保护方法,其中步骤a.的该电压指 标器的 电压随着该绝缘闸双载子电晶体之电压上升而上 升。4.如申请专利范围第3项所述之功率半导体元 件一绝缘闸 双载子电晶体之保护方法,其中步骤a.之电压指标 器的电 压VC1=(VGE,ON-VGE,OFF-VD2-VCE,SAT,Q6).R2R2+R6+VGE ,OFF+VD2+VCE,SAT,Q6。5.如申请专利范围第1项所述之功 率半导体元件一绝缘闸 双载子电晶体之保护方法,其中步骤c.的该绝缘闸 双载子 电晶体之闸极电荷经一放电元件放电,而使得该该 绝缘闸 双截子电晶体截止动作。6.如申请专利范围第1项 所述之功率半导体元件一绝缘闸 双载子电晶体之保护方法,其中步骤c.的该绝缘闸 双载子 电晶体之电压为OV。7.如申请专利范围第1项所述 之功率半导体元件-绝缘闸 双载子电晶体之保护方法,其中步骤b.之保护启动 电路之 保护讯号回授电路产生一保护讯号回授至CPU装置 。8.一种功率半导体元件-绝缘闸双载子电晶体之 保护装置 ,包括:一绝缘闸双载子电晶体,包括一闸极、一射 极及 一集极,该射极连接一接地端,且该射极与该集极 间具有 一电压降VCE;一驱动电路,用以驱动该上述绝缘闸 双载 子电晶体;一保护电路,其分别连接该绝缘闸双载 子电晶 体及该驱动电路,利用检知该绝缘闸双载子电晶体 之VCE 有异常时,便将该绝缘闸双载子电晶体截止保护之 。9.如申请专利范围第8项所述之功率半导体元件 一绝缘闸 双载子电晶体之保护装置,其中该驱动电路包括: 一驱动 控制讯号源;一开关元件组,系分别连接上述驱动 控制讯 号源及该绝缘闸双载子电晶体,用以驱动该绝缘闸 双载子 电晶体作导通或截止动作;一导通驱动电压源,系 连接上 述开关元件组,用以供应该绝缘闸双载子电晶体之 电压源 ;及一截止驱动电压源,系连接上述开关元件组,用 以供 应该绝缘闸双载子电晶体之电压源。10.如申请专 利范围第9项所述之功率半导体元件一绝缘 闸双载子电晶体之保护装置,其中该驱动电路尚包 括一输 入电容,系分别连接该开关元件组及该绝缘闸双载 子电晶 体,用以配合连接该导通驱动电压源之驱动元件或 连接该 截止驱动电压源之驱动元件而驱动该绝缘闸双载 子电晶体 为导通或截止动作。11.如申请专利范围第8项所述 之功率半导体元件一绝缘 闸双载子电晶体之保护装置,其中该保护电路包括 :一电 压指标器,系将电压升高到超过一设定电压时,发 出一启 动保护之讯号;一电压升高侦测器,系分别连接该 绝缘闸 双载子电晶体与该电压指标器,其用以根据该绝缘 闸双载 子电晶体之电压变化相对地升高该电压指标器的 电压;及 一保护启动器,系分别连接该电压指标电路及该驱 动电路 之开关元件组,用以得到该启动保护之讯号而控制 该驱动 电路之开关元件关闭,使得该绝缘闸双载子电晶体 截止动 作。12.如申请专利范围第11项所述之功率半导体 元件一绝缘 闸双载子电晶体之保护装置,其中该保护启动器尚 包括一 保护讯号回授电路,用以产生一保护讯号馈送至一 CPU装 置。13.如申请专利范围第12项所述之功率半导体 元件一绝缘 闸双载子电晶体之保护装置,其中该保护讯号回授 电路为 一光耦合元件。14.如申请专利范围第8项所述之功 率半导体元件一绝缘 闸双载子电晶体之保护装置,其中该驱动控制讯号 为低准 位时,用以控制该驱动电路驱动该绝缘闸双载子电 晶体作 截止动作。15.如申请专利范围第8项所述之功率半 导体元件一绝缘 闸双载子电晶体之保护装置,其中该驱动控制讯号 为高准 位时,用以控制该驱动电路驱动该绝缘闸双载子电 晶体作 导通动作。16.如申请专利范围第8项所述之功率半 导体元件一绝缘 闸双载子电晶体之保护装置,其中该绝缘闸双载子 电晶体 之闸极电荷经由一放电元件自然的放电,使得该绝 缘闸双 载子电晶体截止动作。17.如申请专利范围第16项 所述之功率半导体元件一绝缘 闸双载子电晶体之保护装置,其中放电元件为一电 阻。图 示简单说明:第一图为本发明功率半导体元件-绝 缘闸双 载子电晶体之保护装置之架构示意图。第二图为 本发明功 率半导体元件-绝缘闸双载子电晶体之保护装置之 电路示 意图。第三图为本发明功率半导体元件-绝缘闸双 载子电 晶体之保护装置经实验结果之波形图。第四图为 本发明功 率半导体元件-绝缘闸双载子电晶体之保护装置之 部份实 施例示意图。第五图为本发明功率半导体元件-绝 缘闸双 载子电晶体之保护方法之保护流程示意图。 |
