| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung für integrierte Schaltungen, bei der eine Stapelzelle in einer Isolierschicht (2) ein mit einem Plug (1) gefülltes Kontaktloch (9) aufweist, auf dem ein Kondensator mit einer unteren, dem Plug (1) zugewandten Elektrode (5), einem paraelektrischen oder ferroelektrischen Dielektrikum (6) und einer oberen Elektrode (7) vorgesehen ist. Zwischen dem Plug (1) und der unteren Elektrode (5) liegt eine Barriereschicht (3), die eine Oxidation des Plugs (1) verhindert. Diese Barriereschicht (3) wird gleichzeitig mit einer sie umgebenden Siliziumnitridschicht (4) hergestellt.</p> |
