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<p>Die Erfindung betrifft einen Thyristor bestehend aus einem Halbleiterkörper (1) mit einer anodenseitigen Basiszone (2) vom ersten Leitungstyp und mindestens einer katodenseitigen Basiszone (3) vom entgegengesetzten, zweiten Leitungstyp, mit anodenseitigen und katodenseitigen Emitterzonen (7, 8), mit mindestens einem Bereich (6) in der katodenseitigen Basiszone (3), der durch seine Geometrie eine gegenüber den übrigen Bereichen der katodenseitigen Basiszone (3) und dem Rand des Halbleiterkörpers (1) verminderte Durchbruchspannung aufweist. Anodenseitig weist der Thyristor unterhalb des Bereichs verminderter Durchbruchspannung (6) mindestens eine Rekombinationszone (9) mit verminderter Lebensdauer der freien Ladungsträger auf.</p> |
