| 摘要 |
<p>Système (100) de dépôt de vapeur chimique au jet de plasma comprenant des injecteurs de gaz (122a-122h) et un anneau de séparation (126). Ces injecteurs de gaz possèdent des orifices de sortie (236a-h), de préférence, évasés, de manière à s'approcher de l'angle de dilatation du jet injecté, ce qui conserve ces orifices sensiblement exempts d'hydrogène atomique entraîné. Ces injecteurs sont conçus pour tourner dans le sens contraire du tourbillon du jet primaire, ce qui permet d'obtenir un mélange plus uniforme d'hydrocarbures et d'hydrogène atomique. L'anneau de séparation possède des évents (152a-152d) permettant à des gaz plus froids de pénétrer dans l'ajutage (128), ce qui diminue la température globale des injecteurs, ainsi que le gradient de température auquel ils sont soumis, et empêche leur fissuration. De plus, ces évents limitent le cisaillement, ce qui augmente la vitesse du jet et la vitesse de dépôt du revêtement. De plus, un nouveau procédé de conception de l'injecteur permet d'obtenir des caractéristiques de mélange optimisées avec différentes formulations, ce qui permet de conserver la constance du rapport entre le flux de masse de l'écoulement primaire du jet et le flux de masse de l'écoulement injecté depuis les injecteurs situés en aval.</p> |
